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著者名J-W Liu, H Oosato, B Da, T Teraji, A Kobayashi, H Fujioka, Y Koide.
タイトルOperations of hydrogenated diamond metal–oxide–semiconductor field-effect transistors after annealing at 500 °C
掲載誌名Journal of Physics D: Applied Physics 52 31 315104
発表年2019
言語English
DOI10.1088/1361-6463/ab1e31
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