HOME > 口頭発表 > 書誌詳細EBICとTEMによってHigh-kゲートスタック構造のリーク電流欠陥の研究(EBIC and TEM Investigations of Current Leakage Sites in High-k Gate Stacks)陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 根本 善弘, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 山田啓作, 知京 豊裕. 第10回High-kネット報告会. 2010.NIMS著者陳 君深田 直樹根本 善弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:02:04 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:44:59 +0900