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著者名J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, T. Chikyow, K. Yamabe, R. Hasunuma, Y. Akasaka, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada.
タイトルObservation of leakage sites in a hafnium silicon oxynitride gate dielectric of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device by electron-beam-induced current
掲載誌名Applied Physics Letters 89 22 222104
ISSN: 10773118 00036951
発表年2006
言語English
DOI10.1063/1.2392988
ESIでのカテゴリPHYSICS
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