Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by EBIC | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by EBIC
(EBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察)

J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, T. Chikyow, K. Yamabe, R. Hasunuma, Y. Akasaka, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada.

Applied Physics Letters 89 [22] 222104. 2006.

https://doi.org/10.1063/1.2392988

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作成時刻: 2016-05-24 15:06:19 +0900更新時刻: 2024-04-01 18:30:21 +0900

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