EBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察
(Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current)
日本応用物理学会. 2006.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:04:16 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:40:19 +0900