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著者名関口 隆史, 陳 君, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 梅澤 直人, 大毛利 健治, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 犬宮誠治, 奈良安雄.
タイトルEBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察
(Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current)
会議名日本応用物理学会
発表年2006
言語Japanese
外部での文献参照

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