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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- 色川芳宏, 三石和貴, 生田目俊秀, 木本浩司, 小出康夫. Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 57 [57] (2018)
- Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Lattice-plane bending angle modulation of Mg-doped GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 21 [14] (2019) 2281-2285 10.1039/c8ce01906a
- Atsushi Goto, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Masataka Tansho, Kenjiro Hashi, Shinobu Ohki, Tadashi Shimizu, Yasuo Koide. 71Ga NMR characterization of an n-doped free-standing gallium nitride wafer. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [3] (2019) 031003 10.7567/1347-4065/aafd1a
書籍
- Nobuyuki Matsuki, Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Mickael Lozach, Masatomo Sumiy. Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells. SOLAR CELLS − NEW ASPECTS AND SOLUTIONS. 2011 , 307-32410.5772/20976
- 色川 芳宏, T. Morikawa, K. Aoki, S. Kosaka, T. Ohwaki, Y. Taga. 光化学反応解析と中間生成物について. 会報 光触媒. 2006 , 21-28
会議録
- TAKEGUCHI, Masaki, OKUNO, Hanako, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, FURUYA, Kazuo. HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures. AMTC Letters. 2008, 66-67
- Yoshitaka Nakano, Keiji Nakamura, Yoshihiro Irokawa, Masaki Takeguchi. Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS. 2009, 9999-9999
- IROKAWA, Yoshihiro, SAKUMA, Yoshiki, SEKIGUCHI, Takashi. Effects of surface states on hydrogen sensing performance of Pt-GaN Schottky diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2008, 2985-2987
口頭発表
- 松木 伸行, 色川 芳宏, 角谷 正友. 透明導電性高分子と窒化物薄膜の接合による太陽電池の開発. 第1回窒化物半導体結晶成長講演会. 2009
- YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Akira Uedono, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, Tomoji Ohishi. Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement. Solid State Devices and Materials. 2018
- 色川 芳宏. 半導体デバイスを用いた水素センサーの動作機構の解明. NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2015. 2015
特許
- 特許第6099085号 窒化物半導体素子の製造方法 (2017)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第5541664号 ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法 (2014)
第二期開発予定
第二期開発予定