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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 57 [11] (2018)
- Yoshihiro Irokawa. Effect of hydrogen on Pt/GaN Schottky diodes. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [12] (2020) 120901 10.35848/1347-4065/abc65f
- Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Satoshi Hiroi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Surface morphology smoothing of a 2 inch-diameter GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography. RSC Advances. 10 [4] (2020) 1878-1882 10.1039/c9ra08882b
書籍
- Nobuyuki Matsuki, Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Mickael Lozach, Masatomo Sumiy. Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells. SOLAR CELLS − NEW ASPECTS AND SOLUTIONS. InTech, 2011, 307-324. 10.5772/20976
- IROKAWA, Yoshihiro, T. Morikawa, K. Aoki, S. Kosaka, T. Ohwaki, Y. Taga. 光化学反応解析と中間生成物について. 会報 光触媒. , 2006, 21-28.
会議録
- Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. 2019, 109-117
- IROKAWA, Yoshihiro. Characterization of the metal-semiconductor interface of Pt-GaN diode hydrogen sensors. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2013, 473-476
- IROKAWA, Yoshihiro. Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism. Proceedings of IEEE SENSORS 2012 . 2012, 9999-1-9999-4
口頭発表
- NABATAME, Toshihide, Takashi Onaya, Erika Maeda, Masashi Hirose, IROKAWA, Yoshihiro, Koji Shiozaki, KOIDE, Yasuo. Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices. 20th International conference on Atomic Layer Deposition (ALD/ALE 2020). 2020
- KANO, Emi, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, 加地徹, KOIDE, Yasuo. Crystallization differences of Al2O3 on GaN planes. 日本顕微鏡学会第76回学術講演会. 2020
- 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. PDA雰囲気ガスがn-β-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
特許
- 特許第6099085号 窒化物半導体素子の製造方法 (2017)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第5541664号 ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法 (2014)
第二期開発予定
第二期開発予定