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著者名関口 隆史, 陳 君, 福澤理行, 山田正良.
タイトル多結晶Siにおける欠陥と残留歪の関係
(Correlation between electrically active defects and residual strain in multicrystalline silicon)
会議名第56回応用物理学関係連合講演会
発表年2009
言語Japanese
外部での文献参照

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