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著者名Bin Chen, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura, Filippo Fabbri.
タイトルElectron-beam-induced current study of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC Schottky diode
掲載誌名Applied Physics Letters 93 3 033514
ISSN: 00036951 10773118
発表年2008
言語English
DOI10.1063/1.2960339
ESIでのカテゴリPHYSICS
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