HOME > 口頭発表 > 書誌詳細イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピングと電気的活性化(Impurity doping in Si nanowires by ion-implantation and electrical activation of implanted impurities)深田 直樹, 齋藤直之, 石田 慎哉, 横野茂輝, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009.NIMS著者深田 直樹陳 君菱田 俊一Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:03:30 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:36:22 +0900