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研究内容
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応力場 走査型プローブ顕微鏡 超高真空
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
- Tao Liang, Shuang Xie, Zhuoting Huang, Weifei Fu, Yu Cai, Xi Yang, Hongzheng Chen, Xiangyang Ma, Hideo Iwai, Daisuke Fujita, Nobutaka Hanagata, Mingsheng Xu. Elucidation of Zero-Dimensional to Two-Dimensional Growth Transition in MoS2Chemical Vapor Deposition Synthesis. Advanced Materials Interfaces. 4 [4] (2017) 1600687 10.1002/admi.201600687
- 増田 秀樹, 石田 暢之, 小形曜一郎, 伊藤大悟, 藤田 大介. その場断面 KPFM 法を用いた全固体型リチウムイオン電池の内部電位計測. セラミックス. 52 [2] (2017) 96-99
書籍
- AGRAWAL, Lokesh, GHOSH, Subrata, GHOSH, Batu, KANAD RAY, SAHU, Satyajit, FUJITA, Daisuke, BANDYOPADHYAY, Anirban. Replacing Turing tape with a Fractal tape: a new information theory, a new mechanics and decision making without computing. Consciousness: Integrating Eastern and Western Perspectives. , 2016, 87-159.
- 藤田 大介. ナノワイヤーの製造法. ナノファイバーテクノロジーを用いた高度産業発掘戦略. , 2004, 133-143.
会議録
- FUJITA Takaya, KAREN, Akiya, ITO Hiroshi, FUJITA, Daisuke. Standardization and quantification of the carrier concentration in semiconductor devices using electric SPM. Journal of Surface Analysis. 2012, 76-80
- M. Harada, FUJITA, Daisuke. Auger investigation of fullerene nanowhiskers heat-treated at 400-800 degrees centigrade. JOURNAL OF PHYSICS：CONFERENCE SERIES. 2009, 012025-1-012025-4
- 大西 桂子, 藤田 大介. ＡＦＭ像探針形状効果補正のための標準ナノ粒子法とブラインド法の比較. Journal of the Vacuum Society of Japan. 2010, 357-360
口頭発表
- 王 洪欣, 張 晗, 達 博, 藤田 大介. 3D Analysis of Stress Dynamics in Si(100) by Confocal Raman Microscopy. 日本表面科学会第2回関東支部講演大会. 2017
- 酒井 智香子, 石田 暢之, 永野 聖子, 大西 桂子, 藤田 大介. 印加電圧を変化させた積層型セラミックコンデンサ断面のヘリウムイオン顕微鏡を用いた二次電子像観察. 日本表面科学会 第2回関東支部講演大会. 2017
- 王 洪欣, 張 晗, 達 博, 藤田 大介. 3D confocal Raman mapping of stress induced by indentation on Si(100). 共用・計測 合同シンポジウム2017. 2017
特許
- 特許第6583807号 熱雑音から電力を発生させる分子構造 (2019)
- 特許第6472014号 飛行時間型二次イオン質量分析装置内電流電圧印加測定機構 (2019)
- 特許第6386766号 自由熱雑音から電力を発生させる分子チップ (2018)
第二期開発予定
第二期開発予定