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著者名Hideki Kawakami, Mitsushi Suzuno, Keiichi Akutsu, Jun Chen, Karolin Jiptner, Takashi Sekiguchi, Takashi Suemasu.
タイトルEffect of Introducing β-FeSi2Template Layers on Defect Density and Minority Carrier Diffusion Length in Si Region near p-β-FeSi2/n-Si Heterointerface
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 50 4R 041303
ISSN: 13474065 00214922
発表年2011
言語English
DOI10.7567/jjap.50.041303
ESIでのカテゴリPHYSICS
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