研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Xinyi Xia, Jian-Sian Li, Zhuoqun Wen, Kamruzzaman Khan, Md Irfan Khan, Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, David C. Hays, Fan Ren, S. J. Pearton. Type-II band alignment for atomic layer deposited HfSiO4 on α-Ga2O3. Journal of Vacuum Science & Technology A. 41 [2] (2023) 023205 10.1116/6.0002453
- D. Nicol, Y. Oshima, J. W. Roberts, L. Penman, D. Cameron, P. R. Chalker, R. W. Martin, F. C.-P. Massabuau. Hydrogen-related 3.8 eV UV luminescence in α-Ga2O3. Applied Physics Letters. 122 [6] (2023) 062102 10.1063/5.0135103
- Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi. Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications. Applied Physics Letters. 121 [26] (2022) 260501 10.1063/5.0126698
書籍
- OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3. Springer, 2020
- Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017, 429-466. 10.1002/9783527691036
口頭発表
- 大島 祐一, 安藤 裕之, 四戸 孝. マスクレス手法によるα-Ga2O3の転位密度低減. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023
- 大島 孝仁, 大島 祐一. (010)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
- 大島 孝仁, 大島 祐一. (001)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
その他の文献
- OSHIMA, Yuichi. バンドギャップエンジニアリングにおける結晶成長技術. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. (2011) 89-99
特許
- 特許第6436538号 ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
- 特許第7166522号 結晶膜の製造方法 (2022)
- 特許第6842128号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造装置 (2021)
- 特開2016155714号 α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2016)
- 特開2017007871号 ε−Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2017)
- No: WO2013151045 結晶成長方法および結晶成長装置 (2013)