HOME > プロフィール > 大島 祐一
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe. In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [11] (2020) 115501 10.35848/1347-4065/abbc57
- Katsuaki Kawara, Yuichi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double-layered epitaxial lateral overgrowth. Applied Physics Express. 13 [7] (2020) 075507 10.35848/1882-0786/ab9fc5
- Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties. Semiconductor Science and Technology. 35 [5] (2020) 055022 10.1088/1361-6641/ab7843
口頭発表
- 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. The 39th Electronic Materials Symposium
第39回電子材料シンポジウム. 2020
- 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020). 2020
- 河原克明, 大島 祐一, 沖川満, 四戸孝. デバイス応用に向けたα-Ga2O3二重ELO膜の平坦化. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
特許
- 特許第6083096号 結晶成長方法および結晶成長装置 (2017)
- 特許第6143145号 β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法 (2017)
- 特許第6422159号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
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