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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Katsuaki Kawara, Yuichi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double-layered epitaxial lateral overgrowth. Applied Physics Express. 13 [7] (2020) 075507 10.35848/1882-0786/ab9fc5
- Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties. Semiconductor Science and Technology. 35 [5] (2020) 055022 10.1088/1361-6641/ab7843
- Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [2] (2020) 025512 10.35848/1347-4065/ab6faf
書籍
- Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 2017 , 429-466 10.1002/9783527691036
- OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3. Springer 2020
口頭発表
- OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of alpha-Ga2O3. STAC-11. 2019
- Noboru Ichinose, NAKAMURA, Masaru, Yoshihiko Masa, OSHIMA, Yuichi, VILLORA, Garcia, SHIMAMURA, Kiyoshi. 昇華法によるAlN単結晶の成長. 第29回強誘電体応用会議(FMA29). 2012
- OSHIMA, Yuichi, Katsuaki Kawara, Makoto Kasu, Takashi Shinohe, Toshimi Hitora. Ge doping of α-Ga2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
特許
- 特許第6436538号 ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
- 特許第6422159号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
- 特許第6143145号 β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法 (2017)
第二期開発予定
第二期開発予定