- プロフィール
- 研究概要
- タグクラウド
- 人のつながり
研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Zhe (Ashley) Jian, Yuichi Oshima, Shawn Wright, Kevin Owen, Elaheh Ahmadi. Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α-Ga2O3. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 035006 10.1088/1361-6641/aafeb2
- Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. APL Materials. 7 [2] (2019) 022503 10.1063/1.5051058
- H. Uchiyama, Y. Oshima, R. Patterson, S. Iwamoto, J. Shiomi, K. Shimamura. Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy. Physical Review Letters. 120 [23] (2018) 10.1103/physrevlett.120.235901
書籍
- Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). 2017 , 429-46610.1002/9783527691036
口頭発表
- 大島 祐一. Halide Vapor Phase Epitaxy of alpha-Ga2O3. STAC-11. 2019
- 一ノ瀬昇, 中村 優, 正義彦, 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 昇華法によるAlN単結晶の成長. 第29回強誘電体応用会議(FMA29). 2012
- OSHIMA, Yuichi, Katsuaki Kawara, Makoto Kasu, Takashi Shinohe, Toshimi Hitora. Ge doping of α-Ga2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
特許
- 特許第6083096号 結晶成長方法および結晶成長装置 (2017)
- 特許第6143145号 β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法 (2017)
- 特許第6422159号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
第二期開発予定
第二期開発予定