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研究内容
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Takafumi Odani, Kenji Iso, Yuichi Oshima, Hirotaka Ikeda, Tae Mochizuki, Satoru Izumisawa. Crystallization of high-resistivity Zn-doped GaN monocrystal via hydride vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 622 (2023) 127389 10.1016/j.jcrysgro.2023.127389
- Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Homoepitaxial growth of 1ˉ02 β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 38 [10] (2023) 105003 10.1088/1361-6641/acf241
- Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga2O3. Japanese Journal of Applied Physics. 62 [8] (2023) 080901 10.35848/1347-4065/acee3b
書籍
- OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy 2—Heteroepitaxial Growth of α- and ɛ-Ga2O3. Springer, 2020
- Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017, 429-466. 10.1002/9783527691036
口頭発表
- OSHIMA, Yuichi, 安藤 裕之, 四戸 孝. Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers by maskless method. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023). 2023
- OSHIMA, Takayoshi, OSHIMA, Yuichi. HCl gas etching of (010) and (001) β-Ga2O3 substrates for the fabrication of plasma-damage-free trenches and fins. Compound Semiconductor Week 2023. 2023
- 大島 孝仁, 大島 祐一. (010)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
特許
- 特許第6436538号 ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
- 特許第7166522号 結晶膜の製造方法 (2022)
- 特許第6842128号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造装置 (2021)
- 特開2016155714号 α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2016)
- 特開2017007871号 ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2017)
- No: WO2013151045 結晶成長方法および結晶成長装置 (2013)