SAMURAI - NIMS Researchers Database

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論文 TSV

2023
  1. Takafumi Odani, Kenji Iso, Yuichi Oshima, Hirotaka Ikeda, Tae Mochizuki, Satoru Izumisawa. Crystallization of high-resistivity Zn-doped GaN monocrystal via hydride vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 622 (2023) 127389 10.1016/j.jcrysgro.2023.127389
  2. Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Homoepitaxial growth of 1ˉ02  β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 38 [10] (2023) 105003 10.1088/1361-6641/acf241
  3. Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima. Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga2O3. Japanese Journal of Applied Physics. 62 [8] (2023) 080901 10.35848/1347-4065/acee3b
  4. Zhuoqun Wen, Kamruzzaman Khan, Kai Sun, Ruby Wellen, Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi. Thermal stability of HVPE-grown (0001) α-Ga2O3 on sapphire template under vacuum and atmospheric environments. Journal of Vacuum Science & Technology A. 41 [4] (2023) 043403 10.1116/6.0002559
  5. Yuichi Oshima, Hiroyuki Ando, Takashi Shinohe. Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers via rapid growth at low temperatures by halide vapor phase epitaxy. Applied Physics Express. 16 [6] (2023) 065501 10.35848/1882-0786/acddca Open Access
  6. Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima. Anisotropic non-plasma HCl gas etching of a (010) β-Ga2O3 substrate. Applied Physics Express. 16 [6] (2023) 066501 10.35848/1882-0786/acdbb7 Open Access
  7. Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima. Plasma-free dry etching of (001) β-Ga2O3 substrates by HCl gas. Applied Physics Letters. 122 [16] (2023) 162102 10.1063/5.0138736 Open Access
  8. Xinyi Xia, Jian-Sian Li, Zhuoqun Wen, Kamruzzaman Khan, Md Irfan Khan, Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, David C. Hays, Fan Ren, S. J. Pearton. Type-II band alignment for atomic layer deposited HfSiO4 on α-Ga2O3. Journal of Vacuum Science & Technology A. 41 [2] (2023) 023205 10.1116/6.0002453
  9. D. Nicol, Y. Oshima, J. W. Roberts, L. Penman, D. Cameron, P. R. Chalker, R. W. Martin, F. C.-P. Massabuau. Hydrogen-related 3.8 eV UV luminescence in α-Ga2O3. Applied Physics Letters. 122 [6] (2023) 062102 10.1063/5.0135103 Open Access
2022
  1. Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi. Progress and challenges in the development of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward realizing power device applications. Applied Physics Letters. 121 [26] (2022) 260501 10.1063/5.0126698 Open Access
  2. Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima. Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy. Applied Physics Express. 15 [7] (2022) 075503 10.35848/1882-0786/ac75c8 Open Access
  3. Megan Stokey, Rafał Korlacki, Matthew Hilfiker, Sean Knight, Steffen Richter, Vanya Darakchieva, Riena Jinno, Yongjin Cho, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, Yuichi Oshima, Kamruzzaman Khan, Elaheh Ahmadi, Mathias Schubert. Infrared dielectric functions and Brillouin zone center phonons of α−Ga2O3 compared to α - Al2O3. Physical Review Materials. 6 [1] (2022) 014601 10.1103/physrevmaterials.6.014601
2021
  1. Yuichi Oshima, Shingo Yagyu, Takashi Shinohe. Visualization of threading dislocations in an α-Ga2O3 epilayer by HCl gas etching. Journal of Crystal Growth. 576 (2021) 126387 10.1016/j.jcrysgro.2021.126387 Open Access
  2. Yuichi Oshima, Shingo Yagyu, Takashi Shinohe. Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along ⟨1¯21¯0⟩. Journal of Applied Physics. 130 [17] (2021) 175304 10.1063/5.0068097 Open Access
2020
  1. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe. In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [11] (2020) 115501 10.35848/1347-4065/abbc57 Open Access
  2. Katsuaki Kawara, Yuichi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double-layered epitaxial lateral overgrowth. Applied Physics Express. 13 [7] (2020) 075507 10.35848/1882-0786/ab9fc5 Open Access
  3. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties. Semiconductor Science and Technology. 35 [5] (2020) 055022 10.1088/1361-6641/ab7843 Open Access
  4. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [2] (2020) 025512 10.35848/1347-4065/ab6faf Open Access
2019
  1. Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima. Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3. Journal of Applied Physics. 126 [16] (2019) 160901 10.1063/1.5123213 Open Access
  2. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Yuichi Oshima, Masaru Nakamura, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. IR photoresponse characteristics of Mg2Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing. Journal of Alloys and Compounds. 787 (2019) 578-584 10.1016/j.jallcom.2019.02.147
  3. Zhe (Ashley) Jian, Yuichi Oshima, Shawn Wright, Kevin Owen, Elaheh Ahmadi. Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α-Ga2O3. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 035006 10.1088/1361-6641/aafeb2
  4. Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. APL Materials. 7 [2] (2019) 022503 10.1063/1.5051058 Open Access
2018
  1. H. Uchiyama, Y. Oshima, R. Patterson, S. Iwamoto, J. Shiomi, K. Shimamura. Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy. Physical Review Letters. 120 [23] (2018) 235901 10.1103/physrevlett.120.235901 Open Access
  2. Sang-Heon Han, Akhil Mauze, Elaheh Ahmadi, Tom Mates, Yuichi Oshima, James S Speck. n-type dopants in (001) β-Ga2O3 grown on (001) β-Ga2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 33 [4] (2018) 045001 10.1088/1361-6641/aaae56
  3. Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi, Stephen Kaun, Feng Wu, James S Speck. Growth and etching characteristics of (001) β-Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 33 [1] (2018) 015013 10.1088/1361-6641/aa9c4d Open Access
2017
  1. Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). 2 (2017) 429-466 10.1002/9783527691036 Open Access
  2. Elaheh Ahmadi, Onur S. Koksaldi, Xun Zheng, Tom Mates, Yuichi Oshima, Umesh K. Mishra, James S. Speck. Demonstration of β-(Al x Ga1− x )2O3/β-Ga2O3 modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 10 [7] (2017) 071101 10.7567/apex.10.071101
  3. Elaheh Ahmadi, Onur S. Koksaldi, Stephen W. Kaun, Yuichi Oshima, Dane B. Short, Umesh K. Mishra, James S. Speck. Ge doping of β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 10 [4] (2017) 041102 10.7567/apex.10.041102
  4. Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, Feng Wu, James S Speck. Schottky barrier height of Ni toβ-(AlxGa1−x)2O3with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 32 [3] (2017) 035004 10.1088/1361-6641/aa53a7
2016
  1. Jack E Hogan, Stephen W Kaun, Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, James S Speck. Chlorine-based dry etching ofβ-Ga2O3. Semiconductor Science and Technology. 31 [6] (2016) 065006 10.1088/0268-1242/31/6/065006
  2. Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi, Stefan C. Badescu, Feng Wu, James S. Speck. Composition determination of β-(AlxGa1−x)2O3layers coherently grown on (010) β-Ga2O3substrates by high-resolution X-ray diffraction. Applied Physics Express. 9 [6] (2016) 061102 10.7567/apex.9.061102 Open Access
2015
  1. Xiuwei Fu, Encarnación G. Víllora, Yuichi Oshima, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Thermal and piezoelectric properties of La 3 Ta 0.5 Ga 5.1 Al 0.4 O 14 (LTGA) for high temperature sensors. Journal of Alloys and Compounds. 647 (2015) 1086-1090 10.1016/j.jallcom.2015.06.171
  2. Yuichi Oshima, Encarnación G. Víllora, Yoshitaka Matsushita, Satoshi Yamamoto, Kiyoshi Shimamura. Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 118 [8] (2015) 085301 10.1063/1.4929417 Open Access
  3. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長. JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH. 42 [2] (2015) 141-147
  4. Yuichi Oshima, Encarnación G. Víllora, Kiyoshi Shimamura. Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3on sapphire (0001) substrates. Applied Physics Express. 8 [5] (2015) 055501 10.7567/apex.8.055501 Open Access
  5. Yuichi Oshima, Encarnaciόn G. Vίllora, Kiyoshi Shimamura. Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0 0 0 1) substrates by halide vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 410 (2015) 53-58 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038 Open Access
2014
  1. Yuichi Oshima, Encarnación G. Víllora, Kiyoshi Shimamura. Hydride vapor phase epitaxy and characterization of high-quality ScN epilayers. Journal of Applied Physics. 115 [15] (2014) 153508 10.1063/1.4871656 Open Access
2011
  1. Takehiro Yoshida, Yuichi Oshima, Kazutoshi Watanabe, Tadayoshi Tsuchiya, Tomoyoshi Mishima. Ultrahigh‐speed growth of GaN by hydride vapor phase epitaxy. physica status solidi c. 8 [7-8] (2011) 2110-2112 10.1002/pssc.201000953

書籍 TSV

2017
  1. Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017, 429-466. 10.1002/9783527691036

会議録 TSV

口頭発表 TSV

2024
  1. OSHIMA, Takayoshi, OSHIMA, Yuichi, Shinji Nakagomi. Structural characterization of homoepitaxial and NiO heteroepitaxial films, and selective-area-grown/-etched structures on (-102) β-Ga2O3 substrates. International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024 (IWGO2024). 2024
  2. JINNO Riena, OSHIMA, Takayoshi, OSHIMA, Yuichi, FUKATSU Susumu. Growth of α-(Al,Ga)2O3 films lattice-matched to α-Cr2O3 by mist-CVD. International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024 (IWGO2024). 2024
  3. OSHIMA, Takayoshi, TOGASHI Rie, OSHIMA, Yuichi. N2-diluted H2 gas etching of (-102) β-Ga2O3 under atmospheric pressure. International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2024 (IWGO2024). 2024
  4. 大島 孝仁, 井村 将隆, 大島 祐一, 大石 敏之. GaN正ベベル終端形成のための選択成長結晶に対する逆テーパーエッチングの提案. 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  5. 大島 孝仁, 富樫 理恵, 大島 祐一. (-102) β-Ga2O3への大気圧下での窒素希釈水素ガスエッチング. 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  6. 神野 莉衣奈, 大島 孝仁, 大島 祐一, 深津 晋. α-Cr2O3基板に格子整合したα-(Al,Ga)2O3の成長. 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024
  7. 大島 孝仁, 大島 祐一. ファセット形成を利用したβ-Ga2O3の微細加工. 第15回研究会「ワイドギャップパワー半導体:β-Ga2O3とダイヤモンド」. 2024 招待講演
2023
  1. 尾谷 卓史, 磯 憲司, OSHIMA, Yuichi, 池田 宏隆, 望月 多恵, 泉沢 悟. Crystallization of high-resistivity Zn-doped GaN monocrystal via hydride vapor phase epitaxy. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14). 2023
  2. Martin Feneberg, Jona Grümbel, Christopher Lüttich, Armin Dadgar, OSHIMA, Yuichi, Adam Dubroka, Manfred Ramsteiner, Rüdiger Goldhahn. Optical properties of rocksalt ScN. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14). 2023
  3. 尾谷 卓史, OSHIMA, Yuichi, 池田 宏隆, 望月 多恵, 泉沢 悟. Realization of high-resistive Ni-doped GaN crystal by hydride vapor phase epitaxy. The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14). 2023
  4. 大島 祐一, 大島 孝仁. (001) β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性. 第84回応用物理学会 秋季学術講演会. 2023
  5. 尾谷 卓史, 磯 憲司, 大島 祐一, 池田 宏隆, 望月 多恵, 泉沢 悟. HVPE法による高抵抗ZnドープGaN結晶成長. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  6. 大島 祐一, 大島 孝仁. (-102 )面β-Ga2O3基板上のホモエピタキシャル成長. 第84回応用物理学会 秋季学術講演会. 2023
  7. 大島 孝仁, 大島 祐一. (−102)面β-Ga2O3基板に対する選択成長と選択エッチング. 第84回応用物理学会 秋季学術講演会. 2023
  8. OSHIMA, Yuichi, 安藤 裕之, 四戸 孝. Reduction of dislocation density in α-Ga2O3 epilayers by maskless method. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023). 2023
  9. OSHIMA, Takayoshi, OSHIMA, Yuichi. HCl gas etching of (010) and (001) β-Ga2O3 substrates for the fabrication of plasma-damage-free trenches and fins. Compound Semiconductor Week 2023. 2023
  10. 山本誠志郎, 大島 祐一, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波. α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023
  11. 大島 孝仁, 大島 祐一. (010)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  12. 大島 孝仁, 大島 祐一. (001)面β-Ga2O3基板に対する異方性HClガスエッチング. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  13. 大島 祐一, 安藤 裕之, 四戸 孝. マスクレス手法によるα-Ga2O3の転位密度低減. 第70回応用物理学会 春季学術講演会. 2023
  14. 大島 孝仁, 大島 祐一. β型酸化ガリウム半導体の選択成長. SATテクノロジー・ショーケース2023. 2023
2022
  1. David Nicol, Fabien Massabuau, OSHIMA, Yuichi. The origin of the 3.8 eV luminescence line in α-GaO3. The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials. 2022
  2. OSHIMA, Takayoshi, OSHIMA, Yuichi. Selective-area-grown high-aspect-ratio β-Ga2O3 structures fabricated by HCl-based halide vapor phase epitaxy. The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials. 2022
  3. 大島 孝仁, 大島 祐一. HCl支援ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3の選択成長. 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  4. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of ultra-wide bandgap semiconductor α-Ga2O3 toward power device applications. UK Semiconductors 2022 https://uksemiconductors.com/. 2022 招待講演
2021
  1. 大島 祐一, 河原克明, 大島孝仁, 四戸孝. In-plane orientation control of (001) k-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism. 63rd Electronic Materials Conference (EMC). 2021
  2. 大島 祐一, 河原克明, 大島孝仁, 四戸孝. 選択成長を用いた(001) κ-Ga2O3 の面内配向制御. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
2020
  1. 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. The 39th Electronic Materials Symposium 第39回電子材料シンポジウム. 2020
  2. 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020). 2020
  3. 河原克明, 大島 祐一, 沖川満, 四戸孝. デバイス応用に向けたα-Ga2O3二重ELO膜の平坦化. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  4. 大島 祐一. ワイドギャップ半導体Ga2O3の準安定相の制御と応用. 第81回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「多様な安定相のエンジニアリングの新展開 ~環境・エネルギーデバイスと材料の未来~」. 2020 招待講演
  5. 大島 祐一. ワイドギャップ半導体Ga2O3の安定相の制御. 第67回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「多様な安定相のエンジニアリングによる多元系材料開発の新展開 - 未来材料開拓イニシアチブ 〜環境・エネルギー材料の未来 〜 -」」. 2020 招待講演
2019
  1. 河原 克明, 大島 祐一, 沖川 満, 四戸 孝, 人羅 俊実. 多段ELOによるα型酸化ガリウム結晶の貫通転位密度の低減. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  2. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of Meta-Stable Ga2O3. The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3). 2019 招待講演
  3. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of alpha-Ga2O3. STAC-11. 2019 招待講演
  4. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of meta-stable Ga2O3. CSW2019. 2019 招待講演
  5. 大島 祐一. 準安定相Ga2O3のハライド気相成長. ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第113回 研究会. 2019 招待講演
2018
  1. 増田 泰久, 金子 健太郎, 大島 祐一, 藤田 静雄, 四戸 孝. 金ナノ粒子上コランダム構造酸化ガリウム薄膜の作製とTEMによる構造評価. 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成30年度第2回研究会. 2018
  2. 増田泰久, 金子健太郎, 大島 祐一, 四戸孝, 藤田静雄. 金粒子上α-Ga2O3薄膜の作製. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. イ ウェイ, 陳 君, 伊藤俊, 湯 代明, ジョ ユージン, 大島 祐一, 関口 隆史. Cathodoluminescence study of stacking faults and dislocations in bulk GaN. 19th International Microscopy Congress. 2018
  4. 大島 祐一, 河原克明, 神野莉衣奈, 四戸孝, 人羅俊実, 嘉数誠, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
  5. 大島 祐一, 河原克明, 嘉数誠, 四戸孝, 人羅俊実. HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
  6. 大島 祐一, 河原克明, 嘉数誠, 四戸孝, 人羅俊実, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  7. 大島 祐一, 神野莉衣奈, 河原克明, 四戸孝, 人羅俊実, 嘉数誠, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. ビジョラ ガルシア, 大島 祐一, 島村 清史. N.A.. TCO2017. 2017 招待講演
  2. 大島 祐一. 準安定相酸化ガリウムのハライド気相成長. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017 招待講演
  3. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. HVPEによる準安定相Ga2O3の成長. 日本学術振興会 「結晶成長の科学と技術第161委員会」 第98回研究会. 2017 招待講演
2014
  1. 島村 清史, ビジョラ ガルシア, 大島 祐一. 光学単結晶グループの研究紹介. 第44回日本結晶成長国内会議. 2014
  2. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長. 研究会「機能性単結晶の最近の進展」. 2014 招待講演
  3. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. ハイドライド気相成長法による窒化スカンジウムの成長と評価. 2014年電気化学会秋季大会. 2014
  4. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. HVPE法によるScNの成長と評価. International Workshop on Nitride semiconductors 2014. 2014
  5. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. HVPE法によるScNの成長と評価. 平成26年度4月度 TIESテクニカルミーティング. 2014
  6. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. HVPE法によるScNの成長と評価. 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
2013
  1. 大島 祐一, ターケヴィッチ イヴァン, 中村 優, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 川村 史朗. 新しい電子応用結晶材料の開発. 元素戦略プロジェクト<研究拠点形成型> 研究報告会. 2013 招待講演
  2. 大島 祐一, 中村 優, 色川 芳宏, 正義彦, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 一ノ瀬昇. 昇華法によるAlN単結晶の育成と評価. 第51回セラミックス基礎科学討論会. 2013
2012
  1. 大島 祐一, 中村 優, Yoshihiko Masa, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, Noboru Ichinose. Glowth of AlN Single Crystals by Sublimation Method. PRiME2012 : Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-Sta. 2012
  2. 一ノ瀬昇, 中村 優, 正義彦, 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 昇華法によるAlN単結晶の成長. 第29回強誘電体応用会議(FMA29). 2012

その他の文献 TSV

2011
  1. 大島 祐一. バンドギャップエンジニアリングにおける結晶成長技術. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. (2011) 89-99

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