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[公開特許出願] α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

2019-03-28. 特開2019048766号 (Google Patents) , 特許6618216号特開2016155714号 (Google Patents) , 特許6422159号特開2020073424号 (Google Patents) , 特許6842128号

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:45:49 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:49 +0900

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