Fabrication of reverse tapered GaN edge structures for positive beveled edge termination
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024). 2024年11月03日-2024年11月08日.
NIMS著者
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作成時刻: 2024-11-27 17:36:58 +0900 更新時刻: 2024-11-27 17:36:58 +0900