研究内容
- Keywords
単結晶、新物質、窒化物
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 窒化物半導体 ZnSnN2の合成と電子物性 . 応用物理. (2020) 92-96 10.11470/oubutsu.89.2_92
- Fumio KAWAMURA, Hitoshi YUSA. Synthesis of Novel Nitride Semiconductors and Hard Materials Using High-Pressure Metathesis Reaction. The Review of High Pressure Science and Technology. 30 [3] (2020) 195-201 10.4131/jshpreview.30.195
- Fumio Kawamura, Hidenobu Murata, Masataka Imura, Naoomi Yamada, Takashi Taniguchi. Synthesis of CaSnN2 via a High-Pressure Metathesis Reaction and the Properties of II-Sn-N2 (II = Ca, Mg, Zn) Semiconductors. Inorganic Chemistry. 60 [3] (2021) 1773-1779 10.1021/acs.inorgchem.0c03242
会議録
- Fumio Kawamura, Naoomi Yamada, Xiang Cao, Motoharu Imai, Takashi Taniguchi. The bandgap of ZnSnN2 with a disordered-wurtzite structure. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SC1034-1-SC1034-4
- KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi. Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-. 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings. 2010, 199-202
- KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2009, 3019-3024
口頭発表
- ソン イェリン, 川村 史朗, 大橋 直樹, 島村 清史. フラックス膜成長法 (FFC sputtering) によるAlN結晶成長. 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
- 井村 将隆, 村田秀信, 川村 史朗, 山田直臣. 高圧合成を用いた窒化物半導体の多元化に向けた取り組み. 第61回高圧討論会. 2020
- Fumio Kawamura, 村田 秀信, 井村 将隆, 山田 直臣, 谷口 尚, 遊佐 斉. 新規多元系窒化物半導体の高圧・薄膜合成及び評価. 日本セラミックス協会第33回秋季シンポジウム. 2020
その他の文献
- 川村 史朗. 洋書のため和文タイトルはありません. Handbook of Crystal Growth 2nd Edition. 2 (2014) 505-533
- 川村 史朗. LPE技術を用いた透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術. (2010) 13-29
特許
- 特許第6061338号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2016)
- 特許第5867801号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2016)
- 特許第6253140号 六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法 (2017)