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研究内容
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単結晶、新物質、窒化物
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- 窒化物半導体 ZnSnN2の合成と電子物性 . 応用物理. (2020) 92-96 10.11470/oubutsu.89.2_92
- Xiang Cao, Fumio Kawamura, Takashi Taniguchi, Naoomi Yamada. Electron-transport properties of degenerate ZnSnN2 doped with oxygen. BMC Materials. 2 [1] (2020) 10.1186/s42833-020-0010-6
- Fumio Kawamura, Masataka Imura, Hidenobu Murata, Naoomi Yamada, Takashi Taniguchi. Synthesis of a Novel Rocksalt-Type Ternary Nitride Semiconductor MgSnN2 Using the Metathesis Reaction under High Pressure. European Journal of Inorganic Chemistry. 2020 [5] (2020) 446-451 10.1002/ejic.201901059
会議録
- KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. LPE Growth of Bulk GaN crystal by alkali-metal flux method.. MATERIALS SCIENCE FORUM. 2009, 1245-1250
- KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi. Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-. 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings. 2010, 199-202
- 川村 史朗, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. NaフラックスLPE法による大型・高品質GaN結晶の育成. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2009, 1-3
口頭発表
- 遊佐 斉, 川村 史朗, 谷口 尚, 村田秀信, 平尾直久, 大石泰生. WC型窒化レニウムの合成と体積弾性率の評価. 第60回高圧討論会. 2019
- SONG, Yelim, KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. Investigation of growable conditions of AlN grain and Liquid Phase Epitaxial (LPE) growth in Al-Sn flux. The 6th Japan-Korea International Symposium on Materials Science and Technology 2019 (JKMST 2019). 2019
- SONG, Yelim, KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. Flux growth of AlN crystal in Al-Sn melt. JCCG47. 2018
特許
- 特許第6061338号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2016)
- 特許第5867801号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2016)
- 特許第6253140号 六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法 (2017)
第二期開発予定
第二期開発予定