研究内容
- Keywords
単結晶、新物質、窒化物
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 川村 史朗, 山田 直臣. 窒化物半導体 ZnSnN2の合成と電子物性 . 応用物理. (2020) 92-96 10.11470/oubutsu.89.2_92
- Fumio KAWAMURA, Hitoshi YUSA. 高圧下複分解反応による窒化物硬質材料と半導体物質合成. 高圧力の科学と技術. 30 [3] (2020) 195-201 10.4131/jshpreview.30.195
- Fumio Kawamura, Yelim Song, Hidenobu Murata, Hitoshi Tampo, Takehiko Nagai, Takashi Koida, Masataka Imura, Naoomi Yamada. Tunability of the bandgap of SnS by variation of the cell volume by alloying with A.E. elements. Scientific Reports. 12 [1] (2022) 7434 10.1038/s41598-022-11074-2
会議録
- KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi. Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-. 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings. (2010) 199-202
- 川村 史朗, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. NaフラックスLPE法による大型・高品質GaN結晶の育成. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. (2009) 1-3
- KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. LPE Growth of Bulk GaN crystal by alkali-metal flux method.. MATERIALS SCIENCE FORUM. (2009) 1245-1250
口頭発表
- 宮川 仁, 川村 史朗, 小林 清, 谷口 尚, 遊佐 斉. 超高圧力下でのパルス放電焼結法によるTaNとYSZ焼結体の作製. 粉体粉末冶金協会 2022年度春季大会（第129回講演大会）. 2022
- ソン イェリン, 川村 史朗, 村田 秀信, 反保 衆志, 永井 武彦, 鯉田 崇, 井村 将隆, 山田 直臣. 太陽電池用SnSのワイドギャップ化. 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- Shunichiro Yata, Mari Mizutani, Kaede Makiuchi, KAWAMURA, Fumio, IMURA, Masataka, Hidenobu Murata, Junjun Jia, Naoomi Yamada. Conduction-Band Effective Mass in Wurtzite-Type MgSnN2. Materials Research Meeting (MRM2021). 2021
その他の文献
- 川村 史朗. 洋書のため和文タイトルはありません. Handbook of Crystal Growth 2nd Edition. 2 (2014) 505-533
- 川村 史朗. LPE技術を用いた透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術. (2010) 13-29
特許
- 特許第6355252号 高圧相ＷＣ型ＴａＮ焼結体の製造方法 (2018)
- 特許第6253140号 六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法 (2017)
- 特許第6485858号 Ｚｎ原子とＳｎ原子とＮ原子を含むβ－ＮａＦｅＯ２型構造の高結晶性化合物及びその製法、並びにその用途 (2019)
- 特開2022065558号 窒化物の製造方法 (2022)
- 特開2013018688号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2013)
- 特開2014152081号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2014)