研究内容
- Keywords
単結晶、新物質、窒化物
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Fumio KAWAMURA, Hitoshi YUSA. 高圧下複分解反応による窒化物硬質材料と半導体物質合成. 高圧力の科学と技術. 30 [3] (2020) 195-201 10.4131/jshpreview.30.195
- 川村 史朗, 山田 直臣. 窒化物半導体 ZnSnN2の合成と電子物性 . 応用物理. (2020) 92-96 10.11470/oubutsu.89.2_92
- Shunichiro Yata, Mari Mizutani, Kaede Makiuchi, Fumio Kawamura, Masataka Imura, Hidenobu Murata, Junjun Jia, Naoomi Yamada. Electron transport properties in degenerate magnesium tin oxynitride (Mg<sub>1−<i>x</i></sub>Sn<sub>1+<i>x</i></sub>N<sub>2−2<i>y</i></sub>O<sub>2<i>y</i></sub>) with average wurtzite structure. Journal of Applied Physics. 131 [7] (2022) 075302 10.1063/5.0077925
会議録
- Fumio Kawamura, Naoomi Yamada, Xiang Cao, Motoharu Imai, Takashi Taniguchi. The bandgap of ZnSnN2 with a disordered-wurtzite structure. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019, SC1034-1-SC1034-4
- KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi. Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-. 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings. 2010, 199-202
- KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2009, 3019-3024
口頭発表
- Shunichiro Yata, Mari Mizutani, Kaede Makiuchi, KAWAMURA, Fumio, IMURA, Masataka, Hidenobu Murata, Junjun Jia, Naoomi Yamada. Conduction-Band Effective Mass in Wurtzite-Type MgSnN2. Materials Research Meeting (MRM2021). 2021
- Mari Mizutani, Kenta Matsuura, Shunichiro Yata, Kaede Makiuchi, KAWAMURA, Fumio, IMURA, Masataka, Hidenobu Murata, Junjun Jia, Naoomi Yamada. Bandgap Engineering in Wurtzite-Type MgxZn1-xSnN2 Alloy. Materials Research Meeting (MRM2021). 2021
- 宮川 仁, 小林 清, 川村 史朗, 谷口 尚, 遊佐 斉. 高圧力下パルス放電焼結法による高品位焼結体作製の試み. 第62回高圧討論会/http://www.highpressure.jp/new/62forum/. 2021
その他の文献
- 川村 史朗. 洋書のため和文タイトルはありません. Handbook of Crystal Growth 2nd Edition. 2 (2014) 505-533
- 川村 史朗. LPE技術を用いた透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術. (2010) 13-29
特許
- 特許第6061338号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2016)
- 特許第5867801号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2016)
- 特許第6253140号 六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法 (2017)
- 特開2022065558号 窒化物の製造方法 (2022)
- 特開2013018688号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2013)
- 特開2014152081号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2014)