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川村 史朗
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  • 論文・発表

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研究論文 TSV

2019
  1. Fumio Kawamura, Naoomi Yamada, Xiang Cao, Motoharu Imai, Takashi Taniguchi. The bandgap of ZnSnN2 with a disordered-wurtzite structure. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SC] (2019) SC1034 10.7567/1347-4065/ab0ace
2014
  1. 川村 史朗. 洋書のため和文タイトルはありません. Handbook of Crystal Growth 2nd Edition. 2 (2014) 505-533
  2. Hitoshi Yusa, Fumio Kawamura, Takashi Taniguchi, Naohisa Hirao, Yasuo Ohishi, Takumi Kikegawa. High-pressure synthesis and compressive behavior of tantalum nitrides. Journal of Applied Physics. 115 [10] (2014) 103520 10.1063/1.4867986
2010
  1. 川村 史朗. 透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術. (2010) 17-27
  2. 川村 史朗. LPE技術を用いた透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術. (2010) 13-29
2009
  1. Fumio Kawamura, Masanori Morishita, Naoya Miyoshi, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yasuo Kitaoka, Yusuke Mori, Takatomo Sasaki. Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method. Journal of Crystal Growth. 311 [22] (2009) 4647-4651 10.1016/j.jcrysgro.2009.07.044
  2. Mamoru Imade, Takashi Ogura, Masahiro Uemura, Fumio Kawamura, Masashi Yoshimura, Yasuo Kitaoka, Takatomo Sasaki, Yusuke Mori, Masanobu Yamazaki, Shigekazu Suwabe, Shin-ichi Nakashima. Liquid-phase epitaxy of 2H–SiC film on a (0001) 4H–SiC substrate in Li–Si melt. Materials Letters. 63 [8] (2009) 649-651 10.1016/j.matlet.2008.12.009

書籍 TSV

会議録 TSV

2019
  1. Fumio Kawamura, Naoomi Yamada, Xiang Cao, Motoharu Imai, Takashi Taniguchi. The bandgap of ZnSnN2 with a disordered-wurtzite structure. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 2019, SC1034-1-SC1034-4
2010
  1. KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi. Synthesis of cubic-GaN nanoparticles using the Na Flux Method-A novel use for the ultra-high pressure apparatus-. 2010 international conference on indium phosphide and related materials conference Proceedings 2010, 199-202
2009
  1. KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. LPE Growth of Bulk GaN crystal by alkali-metal flux method.. MATERIALS SCIENCE FORUM 2009, 1245-1250
  2. 川村 史朗, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. NaフラックスLPE法による大型・高品質GaN結晶の育成. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2009, 1-3
  3. KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2009, 3019-3024
  4. 外部, 外部, 外部, KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. Growth of 2H-SiC Single Crystals in a C-Li-Si Ternary Melt System. Materials Science Forum 2009, 55-58

口頭発表 TSV

2019
  1. ソン イェリン, 川村 史朗, 谷口 尚, 大橋 直樹, 島村 清史. Epitaxial growth of AlN film using Al-Sn flux. 第48回結晶成長国内会議(JCCG-48). 2019
  2. ソン イェリン, 川村 史朗, 谷口 尚, 島村 清史, 大橋 直樹. Investigation of growable conditions of AlN grain and Liquid Phase Epitaxial (LPE) growth in Al-Sn flux. The 6th Japan-Korea International Symposium on Materials Science and Technology 2019 (JKMST 2019). 2019
  3. 遊佐 斉, 谷口 尚, 中野 智志, 川村 史朗, 川嶋 哲也, 宮川 仁, 藤久裕司, 亀卦川卓美, 近藤剛弘, 鍵裕之. 硼・窒化物の高圧構造物性と関連物質の機能性材料創製のための連携基盤. 物性研究所短期研究会「高圧合成による新規材料開発と高圧下測定技術の集結」. 2019
2018
  1. ソン イェリン, 島村 清史, 川村 史朗, 谷口 尚, 大橋 直樹. AlN crystal growth using Al-Sn flux. 第13回日本フラックス成長研究発表会. 2018
  2. 川村 史朗. Synthesis of ZnSnN2 crystal via metathesis reaction under high-pressure and an evaluation of properties of ZnSnN2. IWN2018. 2018
  3. ソン イェリン, 川村 史朗, 谷口 尚, 島村 清史, 大橋 直樹. AlN single crystals growth in Al-Sn flux. KJMST2018. 2018
  4. ソン イェリン, 川村 史朗, 谷口 尚, 島村 清史, 大橋 直樹. Flux growth of AlN crystal in Al-Sn melt. JCCG47. 2018
  5. ソン イェリン, 島村 清史, 川村 史朗, 谷口 尚, 大橋 直樹. Liquid Phase Epitaxy of AlN films with Al-Sn flux. 日本セラミックス協会第31回秋季シンポジウム. 2018
  6. SUGAHARA, Yoshiyuki, TANAKA, Daiki, MOCHIZUKI, Takahiro, KAWAMURA, Fumio, KOBAYASHI, Takamichi, TANIGUCHI, Takashi. Crystallization of Cubic Boron Nitride from Polymer-Derived Amorphous Materials by High-Pressure and High-Temperature Treatments. CMCEE12. 2018
  7. SONG, Yelim, KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. Growth of AlN crystals using Sn-flux. IFAAP 2018. 2018
  8. ソン イェリン, 島村 清史, 川村 史朗, 谷口 尚, 大橋 直樹. AlN thin film growth by Liquid Phase Epitaxial technique with Sn flux. 日本セラミックス協会2018年年会. 2018
  9. 遊佐 斉, 川村 史朗, 谷口 尚, 亀卦川卓美, 若林大祐. 超高圧物質科学:新奇高密度相の探索から材料応用へ . 第3回TIA光・量子計測シンポジウム. 2018
2014
  1. 川村 史朗, 遊佐 斉, 谷口 尚. 高圧相TaN焼結体の作製と硬さ評価. 第55回高圧討論会. 2014
  2. YUSA, Hitoshi, KAWAMURA, Fumio, TANIGUCHI, Takashi, HIRAO Naohisa, OHISHI Yasuo, KIKEGAWA Takumi. Bulk modulus and hardness of high-pressure polymorphs in tantalum nitrides and tantalum carbide. 52nd European High Pressure Research Group International Meetin. 2014
  3. 遊佐 斉, 川村 史朗, 谷口 尚, 亀掛川卓美. 窒化タンタルの体積弾性率. 物構研サイエンスフェスタ2013 - KEK. 2014
2013
  1. 川村 史朗, 遊佐 斉, 谷口 尚. 高圧合成による遷移金属窒化物系新規超硬質材料の探索. 第54回高圧討論会. 2013
  2. 遊佐 斉, 川村 史朗, 谷口 尚, 平尾直久, 大石泰生, 亀掛川卓美. 窒化タンタルの合成と圧縮率測定. 第54回高圧討論会. 2013
  3. 大島 祐一, ターケヴィッチ イヴァン, 中村 優, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 川村 史朗. 新しい電子応用結晶材料の開発. 元素戦略プロジェクト<研究拠点形成型> 研究報告会. 2013
2009
  1. 川村 史朗, 谷口 尚. 窒化炭素結晶合成に向けたフラックス探索−超高圧を用いた取り組み−. 第23回ダイヤモンドシンポジウム. 2009
  2. 川村 史朗, 谷口 尚. 超高圧下における窒化炭素結晶のフラックス合成. 窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター ワークショップ・第. 2009

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6485858号 Zn原子とSn原子とN原子を含むβ-NaFeO2型構造の高結晶性化合物及びその製法、並びにその用途 (2019)
  2. 特許第6355252号 高圧相WC型TaN焼結体の製造方法 (2018)
  3. 特許第6253140号 六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法 (2017)
  4. 特許第6061338号 六方晶窒化タングステンの合成方法 (2016)
  5. 特許第6028945号 六方晶窒化タングステンの合成方法及び六方晶窒化タングステン (2016)
  6. 特許第5867801号 高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物 (2016)
公開特許
    外国特許
    1. No. WO2014057982A1 METHOD FOR SYNTHESIZING HEXAGONAL TUNGSTEN NITRIDE, AND HEXAGONAL TUNGSTEN NITRIDE (2014)

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