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patent	WO2023286691	化合物半導体組成物、それを用いる薄膜、太陽電池、熱電材料、及びその製法	2023	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2022065558	窒化物の製造方法	2022	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2021008381	カルシウム、スズ、窒素からなる化合物を含む半導体材料及びそれを用いた顔料	2021	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2021008380	マグネシウム、スズ、窒素からなる化合物を含む半導体材料及びそれを用いた顔料	2021	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2019019040	ＧａＮ単結晶成長方法及びＧａＮ単結晶成長装置	2019	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2019064885	窒化レニウムを含有する硬質材料、その製造方法およびそれを用いた切削工具	2019	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	CN109803923, US20190256367, WO2018074009, CNN109803923, US20220204353	アンモニアを合成する方法、および、その装置	2019	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	WO2019077820	ジルコニウムの窒化物を製造する方法	2019	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2016155699	Ｚｎ原子とＳｎ原子とＮ原子を含むβ－ＮａＦｅＯ２型構造の高結晶性化合物及びその製法、並びにその用途	2016	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2016044113	高圧相ＷＣ型ＴａＮ焼結体の製造方法	2016	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2015086086	六方晶窒化タングステン系焼結体の製造方法	2015	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	US20150315023A, EP2907789, USS20150315023A, 2907789	六方晶窒化タングステンの合成方法及び六方晶窒化タングステン	2015	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2014152081	六方晶窒化タングステンの合成方法	2014	2024-04-27 07:07:56 +0900
patent	2013018688	高窒素含有遷移金属窒化物の製造方法及び高窒素含有遷移金属窒化物	2013	2024-04-27 07:07:56 +0900