HOME > その他の文献 > 書誌詳細LPE技術を用いた透明/平坦性に優れたGaN結晶成長技術(Development of growth techniques of large diameter GaN substrates using Liquid Phase Epitaxy (LPE).)川村 史朗. SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術 13-29. 2010.NIMS著者川村 史朗Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-11-20 10:39:07 +0900 更新時刻: 2020-11-20 10:39:07 +0900