HOME > 論文 > 書誌詳細Effects of TiN/TiSi2 buffer layer on the crystallinity and ohmicity of GaN on n-type Si (111)Fumio Kawamura, Naoomi Yamada. Materials Letters 403 139568. 2026.https://doi.org/10.1016/j.matlet.2025.139568 NIMS著者川村 史朗Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2025-10-01 03:12:12 +0900 更新時刻: 2026-01-04 04:40:43 +0900
