HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] Ｃｕ２Ｏ結晶含有層の製法、並びに、Ｃｕ２Ｏ結晶含有層を有する半導体を備える構造体及びその用途2025-08-13. 特開2025117918号 (Google Patents) NIMS著者川村 史朗作成時刻 :2025-08-16 03:11:53 +0900 更新時刻 :2025-08-16 03:11:53 +0900
