Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.
(二段階転位減少過程による極低転位GaN単結晶育成)
2nd International Symposium on Growth of III Nitrides. 2008年07月07日-2008年07月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-09-05 12:27:40 +0900 更新時刻: 2022-09-05 12:27:40 +0900