SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 論文 > 書誌詳細

Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.
(二段階転位減少過程による極低転位GaN単結晶育成)

KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 3019-3024. 2009.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2022-10-21 23:02:33 +0900 更新時刻: 2022-10-21 23:02:33 +0900

    ▲ページトップへ移動