HOME > 論文 > 書誌詳細Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction.(二段階転位減少過程による極低転位GaN単結晶育成)KAWAMURA, Fumio, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部, 外部. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 3019-3024. 2009.NIMS著者川村 史朗Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2022-10-21 23:02:33 +0900 更新時刻: 2022-10-21 23:02:33 +0900