HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(001) β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性(Temperature and HCl partial pressure dependences of HCl gas etching for (001) β-Ga2O3 substrates)大島 祐一, 大島 孝仁. 第84回応用物理学会 秋季学術講演会. 2023.NIMS著者大島 祐一大島 孝仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2023-09-26 03:16:26 +0900更新時刻: 2023-09-26 03:16:26 +0900