HOME > Presentation > Detail(001) β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性(Temperature and HCl partial pressure dependences of HCl gas etching for (001) β-Ga2O3 substrates)大島 祐一, 大島 孝仁. 第84回応用物理学会 秋季学術講演会. September 19, 2023-September 23, 2023.NIMS author(s)OSHIMA, YuichiOSHIMA, TakayoshiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2023-09-26 03:16:26 +0900 Updated at: 2023-09-26 03:16:26 +0900