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[公開特許出願] ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

2017-01-12. 特開2017007871号 (Google Patents) , 特許6436538号

NIMS著者


作成時刻 :2023-07-22 21:45:50 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:50 +0900

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