HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HVPE法によるScNの成長と評価(Hydride Vapor Phase Epitaxy and characterization of High-Quality ScN epilayers)大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. International Workshop on Nitride semiconductors 2014. 2014.NIMS著者大島 祐一ビジョラ ガルシア島村 清史Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:46:14 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:52:20 +0900