Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3on sapphire (0001) substrates
((0001)サファイア基板上におけるツインフリーα-Ga2O3のHVPE成長)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 17:46:47 +0900更新時刻: 2024-03-30 21:50:14 +0900