Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3on sapphire (0001) substrates
((0001)サファイア基板上におけるツインフリーα-Ga2O3のHVPE成長)

著者	Yuichi Oshima, Encarnación G. Víllora, Kiyoshi Shimamura.
掲載誌名	Applied Physics Express 8 [5] 055501 ISSN: 18820786, 09538984, 18820778 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	Japan Society of Applied Physics
発表年	2015
言語	English
DOI	https://doi.org/10.7567/apex.8.055501
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