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OSHIMA, Yuichi
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305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]

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Research papers TSV

2022
  1. Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima. Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy. Applied Physics Express. 15 [7] (2022) 075503 10.35848/1882-0786/ac75c8
  2. Megan Stokey, Rafał Korlacki, Matthew Hilfiker, Sean Knight, Steffen Richter, Vanya Darakchieva, Riena Jinno, Yongjin Cho, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, Yuichi Oshima, Kamruzzaman Khan, Elaheh Ahmadi, Mathias Schubert. Infrared dielectric functions and Brillouin zone center phonons of α−Ga2O3 compared to α - Al2O3. Physical Review Materials. 6 [1] (2022) 10.1103/physrevmaterials.6.014601
2021
  1. Yuichi Oshima, Shingo Yagyu, Takashi Shinohe. Visualization of threading dislocations in an α-Ga2O3 epilayer by HCl gas etching. Journal of Crystal Growth. 576 (2021) 126387 10.1016/j.jcrysgro.2021.126387
  2. Yuichi Oshima, Shingo Yagyu, Takashi Shinohe. Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along ⟨1¯21¯0⟩. Journal of Applied Physics. 130 [17] (2021) 175304 10.1063/5.0068097
2020
  1. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe. In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [11] (2020) 115501 10.35848/1347-4065/abbc57
  2. Katsuaki Kawara, Yuichi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Elimination of threading dislocations in α-Ga2O3 by double-layered epitaxial lateral overgrowth. Applied Physics Express. 13 [7] (2020) 075507 10.35848/1882-0786/ab9fc5
  3. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties. Semiconductor Science and Technology. 35 [5] (2020) 055022 10.1088/1361-6641/ab7843
  4. Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe. Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [2] (2020) 025512 10.35848/1347-4065/ab6faf
2019
  1. Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima. Materials issues and devices of α- and β-Ga2O3. Journal of Applied Physics. 126 [16] (2019) 160901 10.1063/1.5123213
  2. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Yuichi Oshima, Masaru Nakamura, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. IR photoresponse characteristics of Mg2Ge pn-junction photodiodes fabricated by rapid thermal annealing. Journal of Alloys and Compounds. 787 (2019) 578-584 10.1016/j.jallcom.2019.02.147
  3. Zhe (Ashley) Jian, Yuichi Oshima, Shawn Wright, Kevin Owen, Elaheh Ahmadi. Chlorine-based inductive coupled plasma etching of α-Ga2O3. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 035006 10.1088/1361-6641/aafeb2
  4. Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy. APL Materials. 7 [2] (2019) 022503 10.1063/1.5051058
2018
  1. H. Uchiyama, Y. Oshima, R. Patterson, S. Iwamoto, J. Shiomi, K. Shimamura. Phonon Lifetime Observation in Epitaxial ScN Film with Inelastic X-Ray Scattering Spectroscopy. Physical Review Letters. 120 [23] (2018) 10.1103/physrevlett.120.235901
  2. Sang-Heon Han, Akhil Mauze, Elaheh Ahmadi, Tom Mates, Yuichi Oshima, James S Speck. n-type dopants in (001) β-Ga2O3 grown on (001) β-Ga2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 33 [4] (2018) 045001 10.1088/1361-6641/aab458
  3. Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi, Stephen Kaun, Feng Wu, James S Speck. Growth and etching characteristics of (001) β-Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 33 [1] (2018) 015013 10.1088/1361-6641/aa9c4d
2017
  1. Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). 2 (2017) 429-466 10.1002/9783527691036
  2. Elaheh Ahmadi, Onur S. Koksaldi, Xun Zheng, Tom Mates, Yuichi Oshima, Umesh K. Mishra, James S. Speck. Demonstration of β-(Al x Ga1− x )2O3/β-Ga2O3 modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 10 [7] (2017) 071101 10.7567/apex.10.071101
  3. Elaheh Ahmadi, Onur S. Koksaldi, Stephen W. Kaun, Yuichi Oshima, Dane B. Short, Umesh K. Mishra, James S. Speck. Ge doping of β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Applied Physics Express. 10 [4] (2017) 041102 10.7567/apex.10.041102
  4. Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, Feng Wu, James S Speck. Schottky barrier height of Ni toβ-(AlxGa1−x)2O3with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Semiconductor Science and Technology. 32 [3] (2017) 035004 10.1088/1361-6641/aa53a7
2016
  1. Jack E Hogan, Stephen W Kaun, Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, James S Speck. Chlorine-based dry etching ofβ-Ga2O3. Semiconductor Science and Technology. 31 [6] (2016) 065006 10.1088/0268-1242/31/6/065006
  2. Yuichi Oshima, Elaheh Ahmadi, Stefan C. Badescu, Feng Wu, James S. Speck. Composition determination of β-(AlxGa1−x)2O3layers coherently grown on (010) β-Ga2O3substrates by high-resolution X-ray diffraction. Applied Physics Express. 9 [6] (2016) 061102 10.7567/apex.9.061102
2014
  1. Yuichi Oshima, Encarnación G. Víllora, Kiyoshi Shimamura. Hydride vapor phase epitaxy and characterization of high-quality ScN epilayers. Journal of Applied Physics. 115 [15] (2014) 153508 10.1063/1.4871656
2011
  1. Takehiro Yoshida, Yuichi Oshima, Kazutoshi Watanabe, Tadayoshi Tsuchiya, Tomoyoshi Mishima. Ultrahigh-speed growth of GaN by hydride vapor phase epitaxy. physica status solidi (c). 8 [7-8] (2011) 2110-2112 10.1002/pssc.201000953

Books TSV

2017
  1. Richard Dronskowski, Shinichi Kikkawa, Andreas Stein. Handbook of Solid State Chemistry. Handbook of Solid State Chemistry (Wiley). Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2017, 429-466. 10.1002/9783527691036

Proceedings TSV

Presentations TSV

2021
  1. 大島 祐一, 河原克明, 大島孝仁, 四戸孝. In-plane orientation control of (001) k-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism. 63rd Electronic Materials Conference (EMC). 2021
  2. 大島 祐一, 河原克明, 大島孝仁, 四戸孝. 選択成長を用いた(001) κ-Ga2O3 の面内配向制御. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
2020
  1. 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. The 39th Electronic Materials Symposium 第39回電子材料シンポジウム. 2020
  2. 河原克明, OSHIMA, Yuichi, 沖川満, 四戸孝. Elimination of Threading Dislocations in α-Ga2O3 by Double-layered Epitaxial Lateral Overgrowth. 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020). 2020
  3. 河原克明, 大島 祐一, 沖川満, 四戸孝. デバイス応用に向けたα-Ga2O3二重ELO膜の平坦化. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  4. 大島 祐一. ワイドギャップ半導体Ga2O3の準安定相の制御と応用. 第81回応用物理学会秋季学術講演会シンポジウム「多様な安定相のエンジニアリングの新展開 ~環境・エネルギーデバイスと材料の未来~」. 2020
  5. 大島 祐一. ワイドギャップ半導体Ga2O3の安定相の制御. 第67回応用物理学会春季学術講演会シンポジウム「多様な安定相のエンジニアリングによる多元系材料開発の新展開 - 未来材料開拓イニシアチブ 〜環境・エネルギー材料の未来 〜 -」」. 2020
2019
  1. 河原 克明, 大島 祐一, 沖川 満, 四戸 孝, 人羅 俊実. 多段ELOによるα型酸化ガリウム結晶の貫通転位密度の低減. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  2. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of Meta-Stable Ga2O3. The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3). 2019
  3. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of alpha-Ga2O3. STAC-11. 2019
  4. OSHIMA, Yuichi. Halide Vapor Phase Epitaxy of meta-stable Ga2O3. CSW2019. 2019
  5. 大島 祐一. 準安定相Ga2O3のハライド気相成長. ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第113回 研究会. 2019
2018
  1. 増田 泰久, 金子 健太郎, 大島 祐一, 藤田 静雄, 四戸 孝. 金ナノ粒子上コランダム構造酸化ガリウム薄膜の作製とTEMによる構造評価. 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成30年度第2回研究会. 2018
  2. 増田泰久, 金子健太郎, 大島 祐一, 四戸孝, 藤田静雄. 金粒子上α-Ga2O3薄膜の作製. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  3. イ ウェイ, 陳 君, 伊藤俊, 湯 代明, ジョ ユージン, 大島 祐一, 関口 隆史. Cathodoluminescence study of stacking faults and dislocations in bulk GaN. 19th International Microscopy Congress. 2018
  4. 大島 祐一, 河原克明, 神野莉衣奈, 四戸孝, 人羅俊実, 嘉数誠, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
  5. 大島 祐一, 河原克明, 嘉数誠, 四戸孝, 人羅俊実. HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018
  6. 大島 祐一, 神野莉衣奈, 河原克明, 四戸孝, 人羅俊実, 嘉数誠, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  7. 大島 祐一, 河原克明, 嘉数誠, 四戸孝, 人羅俊実, 藤田静雄. HVPEによるα-Ga2O3のGeドーピング. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. ビジョラ ガルシア, 大島 祐一, 島村 清史. N.A.. TCO2017. 2017
  2. 大島 祐一. 準安定相酸化ガリウムのハライド気相成長. 第78回応用物理学会 秋季学術講演会. 2017
  3. 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. HVPEによる準安定相Ga2O3の成長. 日本学術振興会 「結晶成長の科学と技術第161委員会」 第98回研究会. 2017
2013
  1. 大島 祐一, ターケヴィッチ イヴァン, 中村 優, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 川村 史朗. 新しい電子応用結晶材料の開発. 元素戦略プロジェクト<研究拠点形成型> 研究報告会. 2013
  2. 大島 祐一, 中村 優, 色川 芳宏, 正義彦, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 一ノ瀬昇. 昇華法によるAlN単結晶の育成と評価. 第51回セラミックス基礎科学討論会. 2013
2012
  1. 大島 祐一, 中村 優, Yoshihiko Masa, ビジョラ ガルシア, 島村 清史, Noboru Ichinose. Glowth of AlN Single Crystals by Sublimation Method. PRiME2012 : Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-Sta. 2012
  2. 一ノ瀬昇, 中村 優, 正義彦, 大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 昇華法によるAlN単結晶の成長. 第29回強誘電体応用会議(FMA29). 2012

Misc TSV

2011
  1. 大島 祐一. バンドギャップエンジニアリングにおける結晶成長技術. バンドギャップエンジニアリング-次世代高効率デバイスへの挑戦-. (2011) 89-99

Patents TSV

Registered patents
  1. No. 6842128 α-Ga2O3単結晶の製造装置 (2021)
  2. No. 6618216 α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2019)
  3. No. 6436538 ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
  4. No. 6422159 α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 (2018)
  5. No. 6143145 β-Ga2O3単結晶層の製造方法、β―Ga2O3単結晶層付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法 (2017)
  6. No. 6083096 結晶成長方法および結晶成長装置 (2017)
Patent applications
  1. No: 2022047720 結晶膜の成長方法および結晶性酸化物膜 (2022)
  2. No: WO2022039198 GaN結晶およびGaN基板 (2022)
  3. No: EP3929336 GaN結晶および基板 (2021)
  4. No: US20210384336 GaN結晶および基板 (2021)
  5. No: 2021172552 結晶膜 (2021)
  6. No: 2021172553 結晶性積層構造体および半導体装置 (2021)
  7. No: 2021172554 結晶性積層構造体の製造方法 (2021)
  8. No: 2021172555 結晶膜の製造方法 (2021)
  9. No: CN113454272 GaN結晶および基板 (2021)
  10. No: WO2021066156 結晶性積層構造体および半導体装置 (2021)
  11. No: WO2021044845 結晶膜、結晶膜を含む半導体装置、及び結晶膜の製造方法 (2021)
  12. No: WO2020171147 GaN結晶および基板 (2020)
  13. No: 2020001997 結晶膜の製造方法 (2020)
  14. No: 2019163200 結晶膜の製造方法 (2019)
  15. No: 2019034882 結晶膜の製造方法 (2019)
  16. No: 2019034883 結晶膜の製造方法 (2019)
  17. No: CN109423691 結晶膜の製造方法 (2019)
  18. No: CN109423690 結晶膜の製造方法 (2019)
  19. No: CN109423693A 結晶膜の製造方法 (2019)
  20. No: CN109423690A 結晶膜の製造方法 (2019)
  21. No: CN109423691A 結晶膜の製造方法 (2019)
  22. No: CN109423693 結晶膜の製造方法 (2019)
  23. No: CN109423694 結晶膜の製造方法 (2019)
  24. No: CN109423694A 結晶膜の製造方法 (2019)
  25. No: US20190055646 結晶膜の製造方法 (2019)
  26. No: US20190055667 結晶膜の製造方法 (2019)
  27. No: US20190057865 結晶膜の製造方法 (2019)
  28. No: US20190057866 結晶膜の製造方法 (2019)
  29. No: WO2015147101 β-Ga2O3単結晶膜の製造方法、β―Ga2O3単結晶膜付きサファイア基板、β―Ga2O3自立単結晶及びその製造方法 (2015)
  30. No: WO2013151045 結晶成長方法および結晶成長装置 (2013)
International patents
  1. No. JP2016155714A α-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL, PRODUCTION METHOD OF α-Ga2O3, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME (2016)
  2. No. WO2013151045A1 CRYSTAL GROWTH METHOD AND CRYSTAL GROWTH APPARATUS (2013)

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