Demonstration of β-(Al x Ga1− x )2O3/β-Ga2O3 modulation doped field-effect transistors with Ge as dopant grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy
(プラズマMBEによるGeドープβ-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 MODFET)
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作成時刻: 2017-06-30 22:33:04 +0900更新時刻: 2024-04-01 22:03:45 +0900