HOME > 口頭発表 > 書誌詳細HVPEによるα-Ga2O3の選択横方向成長(Epitaxial Lateral Overgrowth of α-Ga2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy)大島 祐一, 河原克明, 神野莉衣奈, 四戸孝, 人羅俊実, 嘉数誠, 藤田静雄. 60th Electronic Materials Conference (EMC). 2018.NIMS著者大島 祐一Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-01-31 22:20:32 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:48 +0900