Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0 0 0 1) substrates by halide vapor phase epitaxy
(c面傾斜サファイア基板を用いたb-Ga2O3のHVPE成長)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 17:33:52 +0900更新時刻: 2024-04-02 04:09:50 +0900