Yuichi Oshima; Encarnaciόn G. Vίllora; Kiyoshi Shimamura

doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038

Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga 2 O 3 on off-angled sapphire (0 0 0 1) substrates by halide vapor phase epitaxy

著者	Yuichi Oshima, Encarnaciόn G. Vίllora, Kiyoshi Shimamura.
掲載誌名	Journal of Crystal Growth 410 53-58 ISSN: 00220248 ESIでのカテゴリ: CHEMISTRY
出版社	Elsevier BV
発表年	2015
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038
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