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Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga 2 O 3 on off-angled sapphire (0 0 0 1) substrates by halide vapor phase epitaxy

著者Yuichi Oshima, Encarnaciόn G. Vίllora, Kiyoshi Shimamura.
掲載誌名Journal of Crystal Growth 410 53-58
ISSN: 00220248
ESIでのカテゴリ: CHEMISTRY
出版社Elsevier BV
発表年2015
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038
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