Epitaxial lateral overgrowth of r-plane α-Ga2O3 with stripe masks along
⟨1¯21¯0⟩
(<-12-10>ストライプマスクを用いたr面α-Ga2O3の選択横方向成長)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2021-11-10 03:36:35 +0900更新時刻: 2024-03-31 13:39:05 +0900