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NIMS一般公開2024

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Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches

Applied Physics Letters 124 [4] 042110. 2024.

NIMS著者


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    作成時刻: 2024-01-27 03:10:07 +0900更新時刻: 2024-05-08 03:11:10 +0900

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