Schottky barrier height of Ni toβ-(AlxGa1−x)2O3with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Schottky barrier height of Ni toβ-(AlxGa1−x)2O3with different compositions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
(MBE成長による β-(AlxGa1-x)2O3とNi電極のショットキーバリア高さのAl組成依存性)

Elaheh Ahmadi, Yuichi Oshima, Feng Wu, James S Speck.

Semiconductor Science and Technology 32 [3] 035004. 2017.

https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa53a7

NIMS著者

大島祐一

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2017-02-27 00:45:30 +0900更新時刻: 2024-04-01 21:03:47 +0900

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