HOME > 口頭発表 > 書誌詳細β-(AlxGa1-x)2O3のNi電極に対するショットキー障壁(Schottky barrier height of Ni to β-(AlxGa1-x)2O3 with different Al2O3 mole fractions)Elaheh Ahmadi, 大島 祐一, Dane Short, James S. Speck. 58th Electronic Materials Conference. 2016.NIMS著者大島 祐一Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:03:24 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:27:32 +0900