publication_type	article_identifier	title	year	reported_at
patent	CN115885058, EP4202090, WO2022039198, US20230203711	ＧａＮ結晶およびＧａＮ基板	2023	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2019034883, 2023029387	結晶膜の製造方法	2023	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	WO2023048150	結晶膜の製造方法および結晶膜	2023	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2022047720	結晶膜の成長方法および結晶性酸化物膜	2022	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	WO2021044845, CNN114270531A, US20220189769	結晶膜、結晶膜を含む半導体装置、及び結晶膜の製造方法	2022	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2020001997, 2022177039	結晶膜、半導体装置および結晶膜の製造方法	2022	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	US20210335995	結晶性積層構造体および半導体装置	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2021172553	結晶性積層構造体および半導体装置	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	20210125551, CN113454272, EP3929336, US20210384336, KR20210125551, USS20210384336, WO2020171147	ＧａＮ結晶および基板	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2021172554	結晶性積層構造体の製造方法	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2021172552	結晶膜	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2021172555	結晶膜の製造方法	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	WO2021066156	結晶性積層構造体および半導体装置	2021	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2019048766, 2016155714, 2020073424	α－Ｇａ２Ｏ３単結晶、α－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	CN109423694, CNN109423694A, US20190057865	結晶膜、結晶膜を含む半導体装置、および結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2019034882	結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	CN109423690, US20190055667, CNN109423690A	結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	CN109423693, US20190055646, CNN109423693A	結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	CN109423691, US20190057866, CNN109423691A	結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2019163200	結晶膜の製造方法	2019	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	2017007871	ε－Ｇａ２Ｏ３単結晶、ε－Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子	2017	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	WO2015147101	β－Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶膜付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法	2015	2024-04-19 08:01:06 +0900
patent	WO2013151045	結晶成長方法および結晶成長装置	2013	2024-04-19 08:01:06 +0900