Selective-area-grown high-aspect-ratio β-Ga2O3 structures fabricated by HCl-based halide vapor phase epitaxy
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials. 2022年10月23日-2022年10月27日.
NIMS著者
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作成時刻: 2022-11-02 03:25:18 +0900 更新時刻: 2022-11-02 03:25:18 +0900