HOME > 口頭発表 > 詳細HVPE法によるepsilon-Ga2O3の成長(Halide vapor phase epitaxy of epsilon-Ga2O3)著者大島 祐一, ビジョラ ガルシア, 島村 清史. 会議名International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials発表年2015言語Japanese
