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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Masaru Nakamura, Xiuwei Fu, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Ecofriendly Mg2Si-based photodiode for short-wavelength IR sensing. Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) 222-229 10.1016/j.mssp.2018.11.033
- Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 034001 10.1088/1361-6641/aafdbd
- Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Koji Shiozaki, Naoki Ikeda, Tomoji Ohishi, Akihiko Ohi. Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors. Applied Physics Express. 12 [1] (2019) 011009 10.7567/1882-0786/aaf62a
会議録
- NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode. ECS TRANSACTIONS. 2012, 49-59
- Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of Hetero Interface of Ionic/Covalent Oxides for Pt/High-k/SiO. ECS TRANSACTIONS. 2010
- Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of oxygen transfer in Hf-based high-k dielectrics on flatband voltage shift. THIN SOLID FILMS. 2012, 3387-3391
口頭発表
- エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 和田 芳樹, 大井 暁彦, 山本 悟, 島村 清史, 大橋 直樹. Ecofriendly photodiode-based-Mg2Si for SWIR sensation. 日本セラミックス協会2018年年会. 2018
- 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. 225th ECS Meeting. 2014
- 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司. High-k酸化膜の酸素拡散とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会 2011年春期大会. 2011
第二期開発予定
第二期開発予定