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研究論文 TSV

2019
  1. Anh Tung Doan, Takahiro Yokoyama, Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yoshiki Wada, Shigenao Maruyama, Tadaaki Nagao. A MEMS-Based Quad-Wavelength Hybrid Plasmonic–Pyroelectric Infrared Detector. Micromachines. 10 [6] (2019) 413 10.3390/mi10060413
  2. Thang Duy Dao, Anh Tung Doan, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Handegård Sele Ørjan, Dang Hai Ngo, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Chisato Niikura, Shinsuke Miyajima, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. MEMS-Based Wavelength-Selective Bolometers. Micromachines. 10 [6] (2019) 416 10.3390/mi10060416
  3. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata, Yasuo Koide. Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [10] (2019) 100915 10.7567/1347-4065/ab476a
  4. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide. Investigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique. AIP Advances. 9 [8] (2019) 085319 10.1063/1.5098489
  5. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Hideo Iwai, Hideyuki Yasufuku, Satoshi Kawada, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111040 10.1016/j.mee.2019.111040
  6. Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji Shiozaki, Hajime Kiyono. Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111036 10.1016/j.mee.2019.111036
  7. Toshihide Nabatame, Ippei Yamamoto, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Thang Duy Dao, Tomoji Ohishi, Tadaaki Nagao. Change of Electrical Properties of Rutile- and Anatase-TiO2 Films by Atomic Layer Deposited Al2O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 15-21 10.1149/09203.0015ecst
  8. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013
  9. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626
  10. Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 034001 10.1088/1361-6641/aafdbd
  11. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Masaru Nakamura, Xiuwei Fu, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Ecofriendly Mg2Si-based photodiode for short-wavelength IR sensing. Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) 222-229 10.1016/j.mssp.2018.11.033
  12. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Koji Shiozaki, Naoki Ikeda, Tomoji Ohishi, Akihiko Ohi. Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors. Applied Physics Express. 12 [1] (2019) 011009 10.7567/1882-0786/aaf62a
2018
  1. Norifusa Satoh, Masaji Otsuka, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yasuaki Sakurai, Yukihiko Yamashita, Takao Mori. Organic π-type thermoelectric module supported by photolithographic mold: a working hypothesis of sticky thermoelectric materials. Science and Technology of Advanced Materials. 19 [1] (2018) 517-525 10.1080/14686996.2018.1487239
  2. Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto, Yasuo Koide. Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 57 [9] (2018) 098003 10.7567/jjap.57.098003
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  4. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO 2 /(Ta/Nb)O x -Al 2 O 3 /ZrO 2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors. Thin Solid Films. 655 (2018) 48-53 10.1016/j.tsf.2018.02.010
  5. 生田目 俊秀, 木村 将之, 弓削 雅津也, 井上万里, 池田 直樹, 大石友司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の酸化ガスがAl2O3膜の電気特性へ及ぼす影響. JOURNAL OF THE SURFACE SCIENCE SOCIETY OF JAPAN. 61 [5] (2018) 280-285
  6. Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Satoshi Ishii, Thang Duy Dao, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Fabrication of Highly Metallic TiN Films by Pulsed Laser Deposition Method for Plasmonic Applications. ACS Photonics. 5 [3] (2018) 814-819 10.1021/acsphotonics.7b00942
2015
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [6] (2015) 061506 10.1116/1.4928763
  2. Thang Duy Dao, Kai Chen, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masahiro Kitajima, Tadaaki Nagao. Infrared Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Mask Etching of Al–Al2O3–Al Trilayers. ACS Photonics. 2 [7] (2015) 964-970 10.1021/acsphotonics.5b00195
  3. Shimaa A. Abdellatef, Riho Tange, Takeshi Sato, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Nanostructures Control the Hepatocellular Responses to a Cytotoxic Agent “Cisplatin”. BioMed Research International. 2015 (2015) 1-10 10.1155/2015/925319
  4. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toyohiro Chikyo. Role of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3 interface on the flatband voltage shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multilayer charge trap capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [1] (2015) 01A118 10.1116/1.4901231
2014
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Tomoji Ohishi. Electrical properties of anatase TiO2 films by atomic layer deposition and low annealing temperature. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 32 [3] (2014) 03D121 10.1116/1.4869059
  2. Shimaa Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. The Effect of Physical and Chemical Cues on Hepatocellular Function and Morphology. International Journal of Molecular Sciences. 15 [3] (2014) 4299-4317 10.3390/ijms15034299
2012
  1. Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of oxygen transfer in Hf-based high-k dielectrics on flatband voltage shift. Thin Solid Films. 520 [8] (2012) 3387-3391 10.1016/j.tsf.2011.10.086

書籍 TSV

会議録 TSV

2012
  1. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode. ECS TRANSACTIONS 2012, 49-59
  2. Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of oxygen transfer in Hf-based high-k dielectrics on flatband voltage shift. THIN SOLID FILMS 2012, 3387-3391
2010
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of oxygen in Hf-based high-k gate stacks on Vfb shifts. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2010 10th IEEE International Conference 2010, -
  2. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of Hetero Interface of Ionic/Covalent Oxides for Pt/High-k/SiO. ECS TRANSACTIONS 2010, -

口頭発表 TSV

2019
  1. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 色川 芳宏, 安福 秀幸, 岩井 秀夫, 川田 哲, 高橋誠, 伊藤和博, 小出 康夫, 清野肇. Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOSキャパシタの熱処理温度による電気特性の変化. 第80回応用物理学会秋季学術講演. 2019
  2. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 塩崎宏司, 池田 直樹, 大井 暁彦, 清野肇. GaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  3. 生田目 俊秀, 大石 知司, 井上 万里, 高橋 誠, 池田 直樹, 伊藤 和博, 大井 暁彦. Al2O3/TiO2二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性. 2019年日本金属学会秋期講演大会. 2019
  4. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 大井 暁彦, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  5. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  6. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 岩井 秀夫, 小出 康夫, 安福 秀幸, 川田 哲. Influence of post-deposition annealing on electrical characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. INFOS 2019. 2019
  7. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  9. 廣瀨雅史, 生田目俊秀, 弓削雅津也, 池田直樹, 色川芳宏, 前田瑛里香, 小出康夫, 大井暁彦. Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  10. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, OGURAAtsushi. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  2. IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, SUZUKI, Taku, YUGE, Kazuya, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, OHNISHI, Tsuyoshi, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Comprehensive Study of Native Oxides on GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  3. エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 和田 芳樹, 中村 優, 島村 清史, 大橋 直樹. IR photoresponse characteristics of Mg2Si pn-junction diode fabricated by RTA. JCCG47. 2018
  4. NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Erika Maeda, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, IKEDA, Naoki, Tomoji Ohishi, OHI, Akihiko. Growth mechanism and characteristics of Hf-Si-O film by PE-ALD using TDMAS and TDMAH precursors and oxygen plasma gas. AVS 65th International symposium & Exhibition. 2018
  5. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, OGURAAtsushi. Reliability of Al2O3/In-Si-O-C thin-film transistors with an Al2O3 passivation layer under gate-bias stress. AiMES 2018. 2018
  6. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 栗島一徳, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  7. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 大石知司. HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの高耐圧特性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  8. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  9. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  10. 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫, 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司. GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  11. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小椋厚志. ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  12. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  13. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Akira Uedono, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, Tomoji Ohishi. Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement. Solid State Devices and Materials. 2018
  14. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  15. NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko. Different growth mechanism of SiO2 layer on various High-k films by PE-ALD using Tris(dimethylamino)silane and oxygen plasma. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  16. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Effect of ZrO2 capping-layer on ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films by ALD using Hf/Zr cocktail precursor. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  17. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの自然酸化膜層が電気特性へ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2018
  18. ELAMIR, Ahmed Mohamed Elsayed Ahmed, OHSAWA, Takeo, OHI, Akihiko, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. Optimization and reliability of Schottky and Ohmic contacts for Mg2Si-based. IFAAP2018. 2018
  19. YUGE, Kazuya, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, SANG, Liwen, Tomoji Ohishi, KOIDE, Yasuo. Role of a native oxide interlayer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors. Joint ISTDM/ISCI 2018 Conference. 2018
  20. 生田目 俊秀, 木村将之, 弓削 雅津也, 井上 万里, 池田 直樹, 大石知司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の成長条件がAl2O3膜の特性へ及ぼす影響. 2018春期(第162回)日本金属学会講演大会. 2018
  21. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  22. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  23. エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 和田 芳樹, 大井 暁彦, 山本 悟, 島村 清史, 大橋 直樹. Ecofriendly photodiode-based-Mg2Si for SWIR sensation. 日本セラミックス協会2018年年会. 2018
  24. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018
  25. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of Al2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01 interface on reliability for oxide thin film transistor. PCSI-45. 2018
2017
  1. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study. 第18回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会. 2017
  2. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers. 2017 IWDTF. 2017
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会-プロセス科学と新プロセス技術-. 2017
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  5. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  6. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, KURISHIMA, Kazunori, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Effect of ZrO2-seed-layer on ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin film for memory applications. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  7. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Negative bias stress instability in C-doped In-Si-O thin film transistors. ULSIC vs TFT 2017. 2017
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  9. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3 film by introducing additional oxygen and oxygen vacancy using Pt catalytic effect. APS March Meeting. 2017
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. 2017
  11. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果を用いたALD-Al2O3膜の熱処理雰囲気とVfbシフトの関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  12. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017
  13. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較. 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
2016
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, KURISHIMA, Kazunori, SAWAMOTO Naomi, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURA Atsushi. Role of Interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 Insulating Multilayer on Electrical Properties for DRAM Capacitor. PRiME 2016 (2016年電気化学会(ECSJ)秋季大会). 2016
  2. 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 弓削 雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石 知司, 小椋 厚志, 知京 豊裕. Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム. 日本金属学会2016年秋期大会. 2016
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, SAWAMOTONaomi, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement of leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nano-laminate insulating stacks for DRAM capacitor. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  5. NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, Atsushi Ogura, CHIKYOW, Toyohiro. Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会. 2016
  7. NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Atsushi Ogura, Tomoji Ohishi. Electrical properties of anatase-TiO2 films due to the oxygen vacancy introduced by oxidation of trimethylaluminium. 2016 MRS Spring Meeting. 2016
  8. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. XPSを用いたトリメチルアルミニウムガスによるTiO2膜からの自己制御型の酸素脱離メカニズムの解析. 日本金属学会 2016年春季講演大会. 2016
  9. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較. 日本金属学会 2016年春期(第158回)講演大会. 2016
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性. 第63回 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  11. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  13. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  14. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016
2015
  1. 生田目 俊秀, 大井 暁彦. 金属/酸化物接合界面のナノオーダーレベル構造解析. 大阪大学接合科学研究所東京セミナー、アディティブ・マニュファクチ. 2015
  2. YAMAMOTO, Ippei, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Ogura Atsushi, Ohishi Tomoji. Self-limiting Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Trimethylaluminium. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  3. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHITomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Study of C-doped InSiO as a novel channel material for oxide TFT. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  4. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, KURISHIMA, Kazunori, ONAYA Takashi, OHI, Akihiko, ITO Kazuhiro, TAKAHASHI Makoto, KOHAMA Kazuyuki, OHISHI Tomoji, OGURA Atsushi, NAGAO, Tadaaki. Characteristic of TiO2/Al2O3/TiO2 capacitors with plasma-enhanced ALD RuO2 bottom electrode for DRAM. IWDTF 2015. 2015
  5. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHITomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement of bias stress reliability by Carbon-doping in In-Si-O channel TFT. 2015 IWDTF. 2015
  6. YAMAMOTO, Ippei, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Ogura Atsushi, Tomoji Ohishi. Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Oxidation of Trimethylaluminium. IWDTF 2015. 2015
  7. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2スタック絶縁膜を用いたMIMキャパシタの電気特性に対するAl2O3膜厚の影響. 日本金属学会 2015年秋期(第157回)講演大会. 2015
  8. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるanatase-TiO2膜への酸素欠損導入のメカニズムの解明. 日本金属学会 2015年秋季講演大会. 2015
  9. 川喜多 仁, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 大木 知子. ガルバニ作用に基づく結露応答センサ. 2015年電気化学秋季大会 ・第59回化学センサ研究発表会 . 2015
  10. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, DAO, Duy Thang, YAMAMOTO, Ippei, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, OHISHI Tomojoi, OGURA Atsushi, NAGAO, Tadaaki. Growth of RuO2 films on SiO2, Al2O3 and TiO2 layers by plasma-enhanced ALD. ALD2015 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  11. NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, Atsushi Ogura, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Control of oxygen vacancy in TiO2 films introduced by ALD using TMA precursor. 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015
  13. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHI Tomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURA Atsushi. Impact of carbon-doped In-Si-O channel for future TFT. 227th ECS Meeting. 2015
  14. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるAnatase-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2015春期大会. 2015
  15. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 石井 智, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. 反応性スパッタリング法によるMoドープした酸化スズ膜の形成. 金属学会 2015年春期(第156回)講演大会. 2015
  16. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性. 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  17. 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 知京 豊裕. Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理 第20回. 2015
  18. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性. 第20回ゲート・スタック研究会. 2015
  19. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響. ゲートスタック研究会. 2015
2014
  1. NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, CHIKYOW, Toyohiro. Charge trap mechanism of memory capacitors with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. Visual-JW 2014. 2014
  2. NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Influence of oxygen diffusion in transparent In0.9Sn0.1Ox film on effective work function change. AVS 61st International Symposium & Exhibition. 2014
  3. DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, GANDHAM, Lakshminarayana, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Large Area, Aluminum Metamaterial Perfect Absorbers for Tunable Thermal Radiation . The 7th International Symposium on Surface Science, 2014. 2014
  4. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. RuO2シードを用いたPE-ALD法で作製したRuO2膜の特性. 金属学会 2014年秋期(第155回)講演大会. 2014
  5. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるRutile-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2014年秋季講演大会. 2014
  6. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 炭素添加したInSiOチャネル材料の特性. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  7. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metal-Insulator-Metal Infrared Perfect Absorber. The 75th JSAP Autumn Meeting, (JSAP-OSA Joint Symposium) 2014. 2014
  8. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価. 平成26年度6月度シリコン材料デバイス研究会. 2014
  9. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, SHIMIZU, Maki, AIKAWA, Shinya, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method. 14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014
  10. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, SHIMIZU, Maki, AIKAWA, Shinya, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor. 225th ECS Meeting. 2014
  11. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. 225th ECS Meeting. 2014
  12. 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 有機EL用陽極としての極薄膜RuO2膜の特性. 日本金属学会2014年春期(第154回)講演大会. 2014
  13. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  14. 山本逸平, 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 極薄膜RuO2膜の実効仕事関数. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  15. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化. ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. アブデラリーム アブデラジム アブデルラテフ シーマ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 谷口 彰良. Alteration in Hepatocytes Behaviors by the Manipulation of Chemical and Physical Cues on TiO2 Nanopatterns. 第35回日本バイオマテリアル学会大会. 2013
  2. NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, KIMURA, Masayuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Developments of ALD-(Ta/Nb)ON films as gate insulator for gate-last high-k CMOS process. 13th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2013
  3. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Electrical Characteristics of Anatase-TiO2 Films by ALD Process. NIMS Conference 2013. 2013
  4. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. ALD-TiO2 as gate insulator for Metal/High-k transistor. NIMS Conference 2013. 2013
  5. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Characterization of Al2O3 Films Grown by Plasma-Enhanced ALD Process. NIMS Conference 2013. 2013
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石 知司. 低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  7. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕, 大石知司. Anatase/Rutile型TiO2膜の酸素移動とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会. 2013
  8. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. ALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013
2012
  1. CHIKYOW, Toyohiro, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YOSHITAKE, Michiko, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, OHMORI, Kenji. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012
  2. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OHISHI Tomoji. Electrical Characteristics of Anatase-TiO2 Films by Low Temperature Fabrication. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2012
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したルチル構造のTi1-X(Nb/Ta)XO絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2012年秋期(第151回)大会. 2012
  4. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. High-k/SiO2スタック構造におけるHigh-k層の酸素拡散がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  5. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. (TaC)1-xAlx/High-kスタックにおけるHigh-k層の酸素及びAl拡散がVfbシフトへ果たす役割. 2012 Tsukuba Nanotechnology Symposium TNS. 2012
  6. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 先端CMOS向けメタル/High-kゲートスタック技術. 第76回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2012
  7. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価. シリコン材料・デバイス(SDM)研究会. 2012
  8. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Ohishi Tomoji, CHIKYOW, Toyohiro. Electrical properties of Al2O3, TiO2 and AlTiOx films grown by PE-ALD process for high-k CMOS. 12th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2012
  9. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  10. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OHISHI Tomoji. Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx on Vfb shift for HfO2 MOS capacitor. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  11. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Ti1-X(Nb/Ta)XO2透明導電膜のNb/Taアロイが光学・電気特性に及ぼす影響. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  12. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Plasma Enhanced ALD法によるhigh-k絶縁膜の低温度作製. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  13. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 酸化還元熱処理によるITO/HfO2 キャパシタのVfbシフトとITO膜の物性との関係. ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回). 2012
  14. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2ゲートスタックでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―(第17回). 2012
2011
  1. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 同位体18Oを用いて求められたIn0.9Sn0.1O膜の酸素拡散係数. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlxゲート電極のAl原子によるフラットバンド電圧の制御. 日本金属学会2011年秋季(第149回)大会. 2011
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. ITO電極の酸素がHfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  4. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The 3ed NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  5. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割 . The 3rd NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割. 2011 SSDM. 2011
  7. 原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  8. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会. 2011
  9. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface. 2011
  10. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司. High-k酸化膜の酸素拡散とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会 2011年春期大会. 2011

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6448007号 高速応答・高感度乾湿応答センサー (2018)
公開特許
    外国特許

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