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NIMS一般公開2024

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論文 TSV

2024
  1. Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Pt/GaN Schottky Barrier Height Lowering by Incorporated Hydrogen. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13 [4] (2024) 045002 10.1149/2162-8777/ad3959 Open Access
2022
  1. 大久保 勇男, 大井 暁彦, 相澤 俊, 森 孝雄, 村田正行. 微細化熱電デバイスの開発. クリーンエネルギー. 31 [11] (2022) 15-19
  2. Isao Ohkubo, Masayuki Murata, Mariana S.L. Lima, Takeaki Sakurai, Yuko Sugai, Akihiko Ohi, Takashi Aizawa, Takao Mori. Miniaturized in-plane π-type thermoelectric device composed of a II–IV semiconductor thin film prepared by microfabrication. Materials Today Energy. 28 (2022) 101075 10.1016/j.mtener.2022.101075 Open Access
2021
  1. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [6] (2021) 062405 10.1116/6.0001334
  2. Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi. Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures. ECS Transactions. (2021) 121-128 10.1149/10404.0121ecst
  3. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCM01 10.35848/1347-4065/abe685
  4. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [3] (2021) 030903 10.35848/1347-4065/abde54
  5. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [1] (2021) 012401 10.1116/6.0000626
2019
  1. Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Anh Tung Doan, Yoshiki Wada, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. An On‐Chip Quad‐Wavelength Pyroelectric Sensor for Spectroscopic Infrared Sensing. Advanced Science. 6 [20] (2019) 1900579 10.1002/advs.201900579 Open Access
  2. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata, Yasuo Koide. Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [10] (2019) 100915 10.7567/1347-4065/ab476a
  3. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide. Investigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique. AIP Advances. 9 [8] (2019) 085319 10.1063/1.5098489 Open Access
  4. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Hideo Iwai, Hideyuki Yasufuku, Satoshi Kawada, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111040 10.1016/j.mee.2019.111040
  5. Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji Shiozaki, Hajime Kiyono. Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111036 10.1016/j.mee.2019.111036
  6. Thang Duy Dao, Chung Vu Hoang, Natsuki Nishio, Naoki Yamamoto, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masakazu Aono, Tadaaki Nagao. Dark-Field Scattering and Local SERS Mapping from Plasmonic Aluminum Bowtie Antenna Array. Micromachines. 10 [7] (2019) 468 10.3390/mi10070468 Open Access
  7. Toshihide Nabatame, Ippei Yamamoto, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Thang Duy Dao, Tomoji Ohishi, Tadaaki Nagao. Change of Electrical Properties of Rutile- and Anatase-TiO2 Films by Atomic Layer Deposited Al2O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 15-21 10.1149/09203.0015ecst
  8. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 3-13 10.1149/09203.0003ecst
  9. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013 Open Access
  10. Thang Duy Dao, Anh Tung Doan, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Handegård Sele Ørjan, Dang Hai Ngo, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Chisato Niikura, Shinsuke Miyajima, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. MEMS-Based Wavelength-Selective Bolometers. Micromachines. 10 [6] (2019) 416 10.3390/mi10060416 Open Access
  11. Anh Tung Doan, Takahiro Yokoyama, Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yoshiki Wada, Shigenao Maruyama, Tadaaki Nagao. A MEMS-Based Quad-Wavelength Hybrid Plasmonic–Pyroelectric Infrared Detector. Micromachines. 10 [6] (2019) 413 10.3390/mi10060413 Open Access
  12. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626 Open Access
  13. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Masaru Nakamura, Xiuwei Fu, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Ecofriendly Mg2Si-based photodiode for short-wavelength IR sensing. Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) 222-229 10.1016/j.mssp.2018.11.033
  14. Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 034001 10.1088/1361-6641/aafdbd
  15. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Koji Shiozaki, Naoki Ikeda, Tomoji Ohishi, Akihiko Ohi. Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors. Applied Physics Express. 12 [1] (2019) 011009 10.7567/1882-0786/aaf62a
2018
  1. Norifusa Satoh, Masaji Otsuka, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yasuaki Sakurai, Yukihiko Yamashita, Takao Mori. Organic π-type thermoelectric module supported by photolithographic mold: a working hypothesis of sticky thermoelectric materials. Science and Technology of Advanced Materials. 19 [1] (2018) 517-525 10.1080/14686996.2018.1487239 Open Access
  2. Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto, Yasuo Koide. Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 57 [9] (2018) 098003 10.7567/jjap.57.098003
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  4. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO 2 /(Ta/Nb)O x -Al 2 O 3 /ZrO 2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors. Thin Solid Films. 655 (2018) 48-53 10.1016/j.tsf.2018.02.010 Open Access
  5. 生田目 俊秀, 木村 将之, 弓削 雅津也, 井上万里, 池田 直樹, 大石友司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の酸化ガスがAl2O3膜の電気特性へ及ぼす影響. JOURNAL OF THE SURFACE SCIENCE SOCIETY OF JAPAN. 61 [5] (2018) 280-285
  6. Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Satoshi Ishii, Thang Duy Dao, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Fabrication of Highly Metallic TiN Films by Pulsed Laser Deposition Method for Plasmonic Applications. ACS Photonics. 5 [3] (2018) 814-819 10.1021/acsphotonics.7b00942
2015
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [6] (2015) 061506 10.1116/1.4928763
  2. Thang Duy Dao, Kai Chen, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masahiro Kitajima, Tadaaki Nagao. Infrared Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Mask Etching of Al–Al2O3–Al Trilayers. ACS Photonics. 2 [7] (2015) 964-970 10.1021/acsphotonics.5b00195
  3. Shimaa A. Abdellatef, Riho Tange, Takeshi Sato, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Nanostructures Control the Hepatocellular Responses to a Cytotoxic Agent “Cisplatin”. BioMed Research International. 2015 (2015) 1-10 10.1155/2015/925319 Open Access
  4. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toyohiro Chikyo. Role of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3 interface on the flatband voltage shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multilayer charge trap capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [1] (2015) 01A118 10.1116/1.4901231
2014
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Tomoji Ohishi. Electrical properties of anatase TiO2 films by atomic layer deposition and low annealing temperature. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 32 [3] (2014) 03D121 10.1116/1.4869059
  2. Shimaa Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. The Effect of Physical and Chemical Cues on Hepatocellular Function and Morphology. International Journal of Molecular Sciences. 15 [3] (2014) 4299-4317 10.3390/ijms15034299 Open Access
  3. Shimaa A. Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Induction of hepatocyte functional protein expression by submicron/nano-patterning substrates to mimic in vivo structures. Biomater. Sci.. 2 [3] (2014) 330-338 10.1039/c3bm60191a

書籍 TSV

会議録 TSV

口頭発表 TSV

2023
  1. OHKUBO, Isao, 村田 正行, OHI, Akihiko, Mariana S.L. Lima, 櫻井 岳暁, AIZAWA, Takashi, MORI, Takao. Microfabricated in-plane π-type thermoelectric devices based on an epitaxial Mg2Sn0.8Ge0.2 thin film. The 39th Annual International Conference on Thermoelectrics (ICT 2023). 2023
  2. 大久保 勇男, 村田正行, 大井 暁彦, Mariana S. L. Lima, 櫻井岳暁, 相澤 俊, 森 孝雄. 微細加工技術を用いた薄膜型熱電デバイスの開発. 第70回 応用物理学会 春季学術講演会. 2023
2021
  1. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021
  2. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor. AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021) / https://ald2021.avs.org/. 2021
  3. 生田目 俊秀, 井上 万里, 前田 瑛里香, 女屋 崇, 廣瀨 雅史, 小林 陸, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas. 21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021
  4. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, Akira Uedono, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小出 康夫. Investigation of Al2O3/GaN interface using photo-assisted capacitance-voltage technique. INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS(THERMEC'2021). 2021 招待講演
  5. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, 塩崎宏司, 清野肇, IKEDA, Naoki. Characteristics of GaN/HfSiOx interface for n-GaN/HfSiOx/Pt MOS capacitor. International Conference on PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS (THERMEC'2021). 2021
  6. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1−xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique. MANA International Symposium 2021/https://www.nims.go.jp/mana/2021/index.html. 2021
2020
  1. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Influence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference/https://mnc2020.award-con.com/LOGIN.php. 2020
  2. NABATAME, Toshihide, 大石知司, INOUE, Mari, 高橋 誠, 伊藤和博, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko. Characteristic of flexible ReRAM with Al2O3/TiO2 active layer by ALD and PDA process at low temperature. PRime2020. 2020
  3. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 橋詰保, 清野肇. GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  4. 小林 陸, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  5. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. PDA雰囲気ガスがn-β-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  6. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. NBS及びPBSによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTの信頼性特性. 2020年第67回応用物理春季学術講演会. 2020
  7. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  8. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2020/https://www.nims.go.jp/mana/2020/. 2020
  9. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, NGO, Duc Thien, DAO, Duy Thang, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Nanoantenna structure with mid-infrared plasmonic niobium doped titanium oxide. The 13th MANA International Symposium 2020 jointly with ICYS. 2020
  10. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-」(第25回). 2020
  11. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. Al2O3/β-Ga2O3スタック構造のPMA効果と界面特性の関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2020
  12. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOxキャパシタの電気特性に対するHfSiOx絶縁膜の膜厚依存性. 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2020
  13. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. Al2O3/β-Ga2O3スタック構造のPMA効果と界面特性の関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2020
2019
  1. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 堀江 智之, 池田 直樹, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 塩崎宏司, 清野肇. HfSiO x 絶縁膜 の GaN パワーデバイス における n GaN/HfSiO x 界面の構造解析. 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会. 2019
  2. 廣瀨 雅史, NABATAME, Toshihide, 前田 瑛里香, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, 清野肇. Influence of post-metallization annealing on the characteristics of Pt/Al2O3/n-β-Ga2O3 capacitors after post-deposition annealing. 2019 IWDTF. 2019
  3. 小林 陸, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, 女屋 崇, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated By Low-Temperature ALD Using Ιn-Etcp and H2O&O3 . 236th ECS Meeting. 2019
  4. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, DAO, Duy Thang, NGO, Duc Thien, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGAO, Tadaaki, OHI, Akihiko. Nanoantenna structure with mid-infrared plasmonic niobium-doped titanium dioxide. ICSFS19-The 19th International Conference on Solid Films and Surfaces . 2019
  5. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 岩井 秀夫, 安福 秀幸, 川田 哲, 高橋誠, 伊藤和博, 小出 康夫, 清野肇. Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOSキャパシタの熱処理温度による電気特性の変化. 第80回応用物理学会秋季学術講演. 2019
  6. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, NGO, Duc Thien, IKEDA, Naoki, DAO, Duy Thang, OHI, Akihiko, NAGAO, Tadaaki, NABATAME, Toshihide. Fabrication of Plasmonic Nanoantenna with Mid-infrared Niobium-Doped Titanium Dioxide . 応用物理学会秋季学術講演会/JSAP Autumn Meeting 2019. 2019
  7. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  8. 生田目 俊秀, 大石 知司, 井上 万里, 高橋 誠, 伊藤 和博, 池田 直樹, 大井 暁彦. Al2O3/TiO2二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性. 2019年日本金属学会秋期講演大会. 2019
  9. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  10. 廣瀨 雅史, NABATAME, Toshihide, 前田 瑛里香, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, 清野肇. Influence of surface cleaning process on initial growth of ALD-Al2O3 and electrical properties of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. ALD2019. 2019
  11. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, Makoto Takahashi, IKEDA, Naoki, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  12. HIROSE, Masafumi, NABATAME, Toshihide, YUGE, Kazuya, MAEDA, Erika, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, IWAI, Hideo, 安福 秀幸, KAWADA, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Influence of post-deposition annealing on electrical characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. INFOS 2019. 2019
  13. ONAYA, Takashi, 澤本 直美, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using plasma-enhanced atomic layer deposition and low temperature annealing process. 21th Conference of “Insulating Films on Semiconductors”. 2019
  14. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, YUGE, Kazuya, OHI, Akihiko, 清野肇, IKEDA, Naoki, 塩崎宏司. Change of characteristics for n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by various post-deposition annealing. INFOS 2019. 2019
  15. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, 上殿 明良, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, 大石 知司. Influence of post-deposition annealing on interface characteristics at Al2O3/n-GaN. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference. 2019
  16. 栗島 一徳, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  17. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  18. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿明殿, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaN界面での伝導帯/価電子帯近傍の界面準位密度に関する研究. 膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会. 2019
  19. 廣瀨雅史, 生田目俊秀, 大井暁彦, 前田瑛里香, 弓削雅津也, 池田直樹, 色川芳宏, 小出康夫. Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  20. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  21. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. Hfリッチな組成のHfSiOxゲート絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの特性. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  2. 色川 芳宏, 三石 和貴, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 大西 剛, 木本 浩司, 小出 康夫. Comprehensive Study of Native Oxides on GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  3. ELAMIR, Ahmed Mohamed Elsayed Ahmed, OHSAWA, Takeo, NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, WADA, Yoshiki, NAKAMURA, Masaru, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. IR photoresponse characteristics of Mg2Si pn-junction diode fabricated by RTA. JCCG47. 2018
  4. 生田目 俊秀, 井上 万里, 前田瑛里香, 弓削雅津也, 廣瀨雅文, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 池田 直樹, Tomoji Ohishi, 大井 暁彦. Growth mechanism and characteristics of Hf-Si-O film by PE-ALD using TDMAS and TDMAH precursors and oxygen plasma gas. AVS 65th International symposium & Exhibition. 2018
  5. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性. AiMES 2018. 2018
  6. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, 澤本直美, 栗島一徳, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  7. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 大石知司. HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの高耐圧特性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  8. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  9. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小椋厚志. ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018 招待講演
  10. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  11. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018 招待講演
  12. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  13. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿 明良, サン リウエン, 小出 康夫, 大石 知司. 光支援C-V法を用いたAl2O3/n-GaN界面ディープトラップの分析. Solid State Devices and Materials. 2018
  14. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  15. 生田目 俊秀, 井上 万里, 高橋誠, 伊藤和博, 池田 直樹, 大井 暁彦. Different growth mechanism of SiO2 layer on various High-k films by PE-ALD using Tris(dimethylamino)silane and oxygen plasma. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  16. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2 capping-layer on ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films by ALD using Hf/Zr cocktail precursor. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  17. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの自然酸化膜層が電気特性へ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2018
  18. エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 大井 暁彦, 島村 清史, 大橋 直樹. Optimization and reliability of Schottky and Ohmic contacts for Mg2Si-based. IFAAP2018. 2018
  19. 弓削 雅津也, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 大石知司, 小出 康夫. Role of a native oxide interlayer on electrical characteristics of Al2O3/n-GaN capacitors. Joint ISTDM/ISCI 2018 Conference. 2018
  20. 生田目 俊秀, 木村将之, 弓削 雅津也, 井上 万里, 池田 直樹, 大石知司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の成長条件がAl2O3膜の特性へ及ぼす影響. 2018春期(第162回)日本金属学会講演大会. 2018
  21. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  22. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  23. エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 和田 芳樹, 大井 暁彦, 山本 悟, 島村 清史, 大橋 直樹. Ecofriendly photodiode-based-Mg2Si for SWIR sensation. 日本セラミックス協会2018年年会. 2018
  24. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018
  25. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスターに対する信頼性へのAl2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01界面の影響. PCSI-45. 2018
2017
  1. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study. 第18回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会. 2017
  2. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers. 2017 IWDTF. 2017
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会-プロセス科学と新プロセス技術-. 2017
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  5. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2-seed-layer on ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin film for memory applications. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  7. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-O薄膜トランジスタの負バイアス不安定性. ULSIC vs TFT 2017. 2017
  8. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果により酸素欠陥及び酸素を導入したAl2O3膜の特性. APS March Meeting. 2017
  9. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. 2017
  11. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果を用いたALD-Al2O3膜の熱処理雰囲気とVfbシフトの関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較. 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  13. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017
2016
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. Role of Interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 Insulating Multilayer on Electrical Properties for DRAM Capacitor. PRiME 2016 (2016年電気化学会(ECSJ)秋季大会). 2016
  2. 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 弓削 雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石 知司, 小椋 厚志, 知京 豊裕. Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム. 日本金属学会2016年秋期大会. 2016
  3. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 澤本直美, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement of leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nano-laminate insulating stacks for DRAM capacitor. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  5. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 栗島 一徳, 小椋厚志, 知京 豊裕. Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会. 2016
  7. 生田目 俊秀, 山本 逸平, 澤田 朋実, 大井 暁彦, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 大石 知司. Electrical properties of anatase-TiO2 films due to the oxygen vacancy introduced by oxidation of trimethylaluminium. 2016 MRS Spring Meeting. 2016
  8. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較. 日本金属学会 2016年春期(第158回)講演大会. 2016
  9. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. XPSを用いたトリメチルアルミニウムガスによるTiO2膜からの自己制御型の酸素脱離メカニズムの解析. 日本金属学会 2016年春季講演大会. 2016
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性. 第63回 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  11. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  13. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  14. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016
2015
  1. 生田目 俊秀, 大井 暁彦. 金属/酸化物接合界面のナノオーダーレベル構造解析. 大阪大学接合科学研究所東京セミナー、アディティブ・マニュファクチ. 2015 招待講演
  2. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. Self-limiting Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Trimethylaluminium. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  3. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物TFTのCドープInSiOチャネル材料の研究. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  4. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 伊藤 和博, 高橋 誠, 小濱 和之, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. PE-ALD法により作製したRuO2を下部電極に用いたTiO2/Al2O3/TiO2キャパシターの特性. IWDTF 2015. 2015
  5. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネルによるバイアスストレス特性の改善. 2015 IWDTF. 2015
  6. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Oxidation of Trimethylaluminium. IWDTF 2015. 2015
  7. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるanatase-TiO2膜への酸素欠損導入のメカニズムの解明. 日本金属学会 2015年秋季講演大会. 2015
  8. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2スタック絶縁膜を用いたMIMキャパシタの電気特性に対するAl2O3膜厚の影響. 日本金属学会 2015年秋期(第157回)講演大会. 2015
  9. 川喜多 仁, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 大木 知子. ガルバニ作用に基づく結露応答センサ. 2015年電気化学秋季大会 ・第59回化学センサ研究発表会 . 2015
  10. 生田目 俊秀, 山本 逸平, 澤田 朋実, 大井 暁彦, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 小椋厚志, 大石知司, 知京 豊裕. Control of oxygen vacancy in TiO2 films introduced by ALD using TMA precursor. 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  11. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. PE-ALD法による、SiO2, Al2O3 ,そしてTiO2基板上でのRuO2膜の成長. ALD2015 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015
  13. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 将来のTFTへおける炭素ドープしたIn-Si-Oチャネルのインパクト. 227th ECS Meeting. 2015
  14. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるAnatase-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2015春期大会. 2015
  15. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 石井 智, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. 反応性スパッタリング法によるMoドープした酸化スズ膜の形成. 金属学会 2015年春期(第156回)講演大会. 2015
  16. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性. 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  17. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響. ゲートスタック研究会. 2015
  18. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性. 第20回ゲート・スタック研究会. 2015
  19. 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 知京 豊裕. Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理 第20回. 2015
2014
  1. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Charge trap mechanism of memory capacitors with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. Visual-JW 2014. 2014 招待講演
  2. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石 知司, 知京 豊裕. Influence of oxygen diffusion in transparent In0.9Sn0.1Ox film on effective work function change. AVS 61st International Symposium & Exhibition. 2014
  3. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metamaterial Perfect Absorbers for Tunable Thermal Radiation . The 7th International Symposium on Surface Science, 2014. 2014
  4. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるRutile-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2014年秋季講演大会. 2014
  5. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. RuO2シードを用いたPE-ALD法で作製したRuO2膜の特性. 金属学会 2014年秋期(第155回)講演大会. 2014
  6. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 炭素添加したInSiOチャネル材料の特性. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  7. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metal-Insulator-Metal Infrared Perfect Absorber. The 75th JSAP Autumn Meeting, (JSAP-OSA Joint Symposium) 2014. 2014
  8. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価. 平成26年度6月度シリコン材料デバイス研究会. 2014
  9. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO TFTの電気特性への影響. 14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014
  10. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor. 225th ECS Meeting. 2014
  11. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. 225th ECS Meeting. 2014 招待講演
  12. 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 有機EL用陽極としての極薄膜RuO2膜の特性. 日本金属学会2014年春期(第154回)講演大会. 2014
  13. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  14. 山本逸平, 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 極薄膜RuO2膜の実効仕事関数. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  15. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化. ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. アブデラリーム アブデラジム アブデルラテフ シーマ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 谷口 彰良. Alteration in Hepatocytes Behaviors by the Manipulation of Chemical and Physical Cues on TiO2 Nanopatterns. 第35回日本バイオマテリアル学会大会. 2013
  2. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. ゲートラストhigh-k CMOSプロセスにおけるゲート絶縁膜としてのALD-(Ta/Nb)ON膜の開発. 13th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2013
  3. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. ALD法で作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. NIMS Conference 2013. 2013
  4. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. メタル/High-kトランジスタにおけるゲート絶縁膜としてのALD-TiO2膜. NIMS Conference 2013. 2013 招待講演
  5. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Plasma-Enhanced ALD法で作製したAl2O3膜の特性. NIMS Conference 2013. 2013
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石 知司. 低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  7. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. ALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013
  8. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕, 大石知司. Anatase/Rutile型TiO2膜の酸素移動とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会. 2013
2012
  1. 知京 豊裕, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史, 大毛利 健治. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012 招待講演
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したアナターゼ構造のTiO2膜の電気特性. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2012
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したルチル構造のTi1-X(Nb/Ta)XO絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2012年秋期(第151回)大会. 2012
  4. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. High-k/SiO2スタック構造におけるHigh-k層の酸素拡散がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  5. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. (TaC)1-xAlx/High-kスタックにおけるHigh-k層の酸素及びAl拡散がVfbシフトへ果たす役割. 2012 Tsukuba Nanotechnology Symposium TNS. 2012 招待講演
  6. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 先端CMOS向けメタル/High-kゲートスタック技術. 第76回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2012 招待講演
  7. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価. シリコン材料・デバイス(SDM)研究会. 2012
  8. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. high-k CMOSへ向けてPE-ALD法で作製したAl2O3, TiO2及びAlTiOx膜の電気特性. 12th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2012
  9. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2 MOSキャパシタでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  10. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  11. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Ti1-X(Nb/Ta)XO2透明導電膜のNb/Taアロイが光学・電気特性に及ぼす影響. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  12. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Plasma Enhanced ALD法によるhigh-k絶縁膜の低温度作製. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  13. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2ゲートスタックでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―(第17回). 2012
  14. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 酸化還元熱処理によるITO/HfO2 キャパシタのVfbシフトとITO膜の物性との関係. ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回). 2012
2011
  1. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 同位体18Oを用いて求められたIn0.9Sn0.1O膜の酸素拡散係数. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlxゲート電極のAl原子によるフラットバンド電圧の制御. 日本金属学会2011年秋季(第149回)大会. 2011
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. ITO電極の酸素がHfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  4. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The 3ed NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  5. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割 . The 3rd NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割. 2011 SSDM. 2011
  7. 原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  8. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会. 2011
  9. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface. 2011 招待講演
  10. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司. High-k酸化膜の酸素拡散とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会 2011年春期大会. 2011

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