HOME > 口頭発表 > 書誌詳細CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善(Improvement of bias stress characteristics in oxide TFT using carbon-doped In-Si-O channel)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016年01月21日-2016年01月23日.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:44:48 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:17:29 +0900