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CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善
(Improvement of bias stress characteristics in oxide TFT using carbon-doped In-Si-O channel)

栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志.
電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016.

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    作成時刻 :2017-01-08 03:44:48 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:17:29 +0900

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