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CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善
(Improvement of bias stress characteristics in oxide TFT using carbon-doped In-Si-O channel)

電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016年01月21日-2016年01月23日.

NIMS著者


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    作成時刻: 2017-01-08 03:44:48 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:17:29 +0900

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