HOME > プロフィール > 木津 たきお
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors. Materials Research Express. 6 [2] (2019) 026410 10.1088/2053-1591/aaecf9
- Kunji Shigeto, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame. Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Microscopy and Microanalysis. 23 [S1] (2017) 1512-1513 10.1017/s1431927617008224
- Hani Esmael Jan, Ha Hoang, Tsubasa Nakamura, Tomoaki Koga, Toshiaki Ina, Tomoya Uruga, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Akihiko Fujiwara. Amorphous In-Si-O Films Fabricated via Solution Processing. Journal of Electronic Materials. 46 [6] (2017) 3610-3614 10.1007/s11664-017-5506-9
口頭発表
- 近野 健人, 木津 たきお, 塚越 一仁, 上野 啓司. 層状In2Se3の薄膜成長. 第67回応用物理学会 春季学術講演会. 2020
- 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
- 近野 健人, 木津 たきお, 塚越 一仁, 上野 啓司. ALD成長In2O3薄膜のSe化. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
▲ページトップへ移動
