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研究内容
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パイ電子系、ナノエレクトロニクス、電流注入
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors. Materials Research Express. 6 [2] (2019) 026410 10.1088/2053-1591/aaecf9
- Ying-Chiao Wang, Shao-Ku Huang, Toshihiro Nakamura, Yu-Ting Kao, Chun-Hao Chiang, Di-Yan Wang, Yuan Jay Chang, Nobuyoshi Koshida, Toshikazu Shimada, Shihao Liu, Chun-Wei Chen, Kazuhito Tsukagoshi. Quantum-assisted photoelectric gain effects in perovskite solar cells. NPG Asia Materials. 12 [1] (2020) 10.1038/s41427-020-00236-1
- Mengjiao Li, Che-Yi Lin, Yuan-Ming Chang, Shih-Hsien Yang, Mu-Pai Lee, Ciao-Fen Chen, Ko-Chun Lee, Feng-Shou Yang, Yi Chou, Yi-Chun Lin, Keiji Ueno, Yumeng Shi, Yi-Chia Chou, Kazuhito Tsukagoshi, Yen-Fu Lin. Facile and Reversible Carrier-Type Manipulation of Layered MoTe2 Toward Long-Term Stable Electronics. ACS Applied Materials & Interfaces. 12 [38] (2020) 42918-42924 10.1021/acsami.0c09922
書籍
- 山本真人, 上野啓司, 塚越 一仁. 遷移金属ダイカルコゲナイドのラマン分光，カルコゲナイド原子膜半導体におけるキャリアの注入と散乱. カルコゲナイド系層状物質の最新研究. , 2016, 72-79.
- 日浦 英文, リー マイケル, 塚越 一仁. グラフェン “絶縁体上へのグラフェンの直接形成”. シーエムシー出版 ナノカーボンの応用と実用化 −フラーレン・ナノチューブ・グラフェンを中心に−. , 2011, 225-235.
- 塚越 一仁, 榊 裕之. 原子膜エレクトロニクス. 丸文財団20周年記念出版「科学技術立国 日本を築くⅡ 次代を拓く気鋭の研究. , 2017, 137-144.
会議録
- H.Suga, M.Horikawa, ODAKA, Shunsuke, MIYAZAKI, Hisao, TSUKAGOSHI, Kazuhito, T.Shimizu, Y.Naitoh. Memory Effect in Simple Cu Nanogap Junction,. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS. 2010, G10-05/1-4
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). 2019
- H. Tomori, A. Kanda, H. Goto, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Fabrication of ultrashort graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. 2010, 1492-1495
口頭発表
- NAKAHARAI, Shu, Tomohiko Iijima, Shinich Ogawa, Shingo Suzuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Shintaro Sato, Naoki Yokoyama. Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2012
- TSUKAGOSHI, Kazuhito, LIU, Shihao, WANG, Ying-Chiao, YASUDA, Takeshi, Hiroshi Nishihara. Solution-processed quasi-2D organometallic nanosheet as hole buffer layer for organic light-emitting devices. JSPS-EPSRC Core-to Core International Workshop On Two-Dimensional Coordination Nanosheets . 2019
- 塚越 一仁. 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
特許
- 特許第6583812号 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 (2019)
- 特許第6296463号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2018)
- 特許第6440169号 有機ＥＬ素子及びその製造方法 (2018)
第二期開発予定
第二期開発予定