- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
パイ電子系、ナノエレクトロニクス、電流注入
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Yue Shi, Takaaki Taniguchi, Ki-Nam Byun, Daiki Kurimoto, Eisuke Yamamoto, Makoto Kobayashi, Kazuhito Tsukagoshi, Minoru Osada. Damage-free LED lithography for atomically thin 2D material devices. Scientific Reports. 13 [1] (2023) 2583 10.1038/s41598-023-29281-w
- Dorra Mahdaoui, Chika Hirata, Kahori Nagaoka, Kun’ichi Miyazawa, Kazuko Fujii, Toshihiro Ando, Manef Abderrabba, Osamu Ito, Shinjiro Yagyu, Yubin Liu, Yoshiyuki Nakajima, Kazuhito Tsukagoshi, Takatsugu Wakahara. Ambipolar to Unipolar Conversion in C70/Ferrocene Nanosheet Field-Effect Transistors. Nanomaterials. 13 [17] (2023) 2469 10.3390/nano13172469
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438 10.1002/advs.202004438
書籍
- Mahito Yamamoto, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Growth and Electronic and Optoelectronic Applications of Surface Oxides on Atomically Thin WSe2. System-Material Nanoarchitectonics. Springer, 2022, 12.
- 塚越 一仁, 榊 裕之. 原子膜エレクトロニクス. 丸文財団20周年記念出版「科学技術立国 日本を築くⅡ 次代を拓く気鋭の研究. , 2017, 137-144.
- 中払 周, 小川 真一, 塚越 一仁, 佐藤 信太郎, 横山 直樹. ウェハスケール・トップダウン加工でのグラフェントランジスタ試作. カーボンナノチューブ・グラフェンの 応用研究最前線. , 2016, 201-207.
会議録
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
- Hiroki Ago, Yui Ogawa, Kenji Kawahara, Yoshito Ito, Baoshan Hu, Carlo M. Orofeo, Pablo Soils Fernandez, Hiroko Endo, Hiroki Hibino, Seigi Mizuno, Kazuhito Tsukagoshi, Masaharu Tsuji. Epitaxial CVD Growth of High-Quality Graphene and Recent Development of 2D Heterostructures. 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) . (2015) 10.1109/iedm.2015.7409779
- A. Kanda, T. Sato, H. Goto, H. Tomori, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Dependence of proximity-induced supercurrent on junction length in multilayer-graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. (2010) 1477-1480 10.1016/j.physc.2010.05.142
口頭発表
- 本間寛治, 金子哲, 塚越 一仁, 西野智明. SERSを用いたナフタレン単分子接合のダイオード特性の起源の解明. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
- 筒井 優貴, 竹井 慎登, 内藤 泰久, 塚越 一仁, 菅 洋志. AlOx被覆したAuPd合金を用いたナノギャップスイッチ効果. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
- TSUKAGOSHI, Kazuhito. Electromechamical Switching of a C60 Chain in a Nanogap. 2023 A3 Joint Symposium of Emerging Materials Innovation. 2023
その他の文献
- Shuhei Watanabe, Satoshi Kaneko, Shintaro Fujii, Tomoaki Nishino, Shinya Kasai, Kazuhito Tsukagoshi, Manabu Kiguchi. Gap width-independent spectra in 4-aminothiophenol surface enhanced Raman scattering stimulated in Au-gap array. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6] (2017) 065202 10.7567/jjap.56.065202
- 塚越 一仁. 図解：ナノカーボン. OYO BUTURI. (2015) 642-643
- 塚越 一仁. インジウム系酸化膜トランジスタの特性と必要性. 鉱山. 67 [730(9)] (2014) 24-32
特許
- 特許第6252903号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- 特許第6583812号 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 (2019)
- 特許第6261125号 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- 特開2011171524号 有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法 (2011)
- 特開2012033904号 有機半導体薄膜形成方法 (2012)
- 特開2013058680号 有機半導体単結晶形成方法 (2013)