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研究内容
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パイ電子系、ナノエレクトロニクス、電流注入
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors. Materials Research Express. 6 [2] (2019) 026410 10.1088/2053-1591/aaecf9
- Satoshi Kaneko, Shuhei Watanabe, Shinya Kasai, Tomoaki Nishino, Kazuhito Tsukagoshi, Manabu Kiguchi. Near-infrared-light-induced decomposition of Rhodamine B triggered by localized surface plasmon at gold square dimers with well-defined separation distance. AIP Advances. 9 [3] (2019) 035153 10.1063/1.5093763
- Jun Qian, Sai Jiang, Qijing Wang, Shushu Zheng, Shuya Guo, Chang Yi, Jianpu Wang, Xinran Wang, Kazuhito Tsukagoshi, Yi Shi, Yun Li. Unveiling the piezoelectric nature of polar α-phase P(VDF-TrFE) at quasi-two-dimensional limit. Scientific Reports. 8 [1] (2018) 10.1038/s41598-017-18845-2
書籍
- 山本真人, 上野啓司, 塚越 一仁. 遷移金属ダイカルコゲナイドのラマン分光，カルコゲナイド原子膜半導体におけるキャリアの注入と散乱. カルコゲナイド系層状物質の最新研究. 2016 , 72-79
- 日浦 英文, リー マイケル, 塚越 一仁. グラフェン “絶縁体上へのグラフェンの直接形成”. シーエムシー出版 ナノカーボンの応用と実用化 −フラーレン・ナノチューブ・グラフェンを中心に−. 2011 , 225-235
- 塚越 一仁, 榊 裕之. 原子膜エレクトロニクス. 丸文財団20周年記念出版「科学技術立国 日本を築くⅡ 次代を拓く気鋭の研究. 2017 , 137-144
会議録
- H.Suga, M.Horikawa, ODAKA, Shunsuke, MIYAZAKI, Hisao, TSUKAGOSHI, Kazuhito, T.Shimizu, Y.Naitoh. Memory Effect in Simple Cu Nanogap Junction,. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS. 2010, G10-05/1-4
- H. Tomori, A. Kanda, H. Goto, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Fabrication of ultrashort graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. 2010, 1492-1495
- A. Kanda, T. Sato, H. Goto, H. Tomori, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Dependence of proximity-induced supercurrent on junction length in multilayer-graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. 2010, 1477-1480
口頭発表
- NAKAHARAI, Shu, Tomohiko Iijima, Shinich Ogawa, Shingo Suzuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Shintaro Sato, Naoki Yokoyama. Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel: Toward Reconfigurable CMOS Applications. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2012
- 塚越 一仁. 強電界におけるグラフェンのバンドギャップ. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
- 塚越 一仁. Atomic-film hetero-structure for new functions. School of Electronic Science and Engineering Nanjing University内セミナー. 2018
特許
- 特許第5927522号 炭素材料構造材の製造方法および炭素材料構造材 (2016)
- 特許第5626959号 有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法 (2014)
- 特許第5769254号 有機半導体デバイスのコンタクト作製方法及び有機半導体デバイスのコンタクト構造 (2015)
第二期開発予定
第二期開発予定