- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
パイ電子系、ナノエレクトロニクス、電流注入
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Yue Shi, Takaaki Taniguchi, Ki-Nam Byun, Daiki Kurimoto, Eisuke Yamamoto, Makoto Kobayashi, Kazuhito Tsukagoshi, Minoru Osada. Damage-free LED lithography for atomically thin 2D material devices. Scientific Reports. 13 [1] (2023) 2583 10.1038/s41598-023-29281-w
- Shuji Kobayashi, Satoshi Kaneko, Kazuhito Tsukagoshi, Tomoaki Nishino. Conductance Modulation in an α-Terthiophene Molecular Junction Characterized by Surface-Enhanced Raman Scattering. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 21 [1] (2022) 2023-004 10.1380/ejssnt.2023-004
- Shisheng Li, Jinhua Hong, Bo Gao, Yung‐Chang Lin, Hong En Lim, Xueyi Lu, Jing Wu, Song Liu, Yoshitaka Tateyama, Yoshiki Sakuma, Kazuhito Tsukagoshi, Kazu Suenaga, Takaaki Taniguchi. Tunable Doping of Rhenium and Vanadium into Transition Metal Dichalcogenides for Two‐Dimensional Electronics. Advanced Science. (2021) 2004438
書籍
- Mahito Yamamoto, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Growth and Electronic and Optoelectronic Applications of Surface Oxides on Atomically Thin WSe2. System-Material Nanoarchitectonics. Springer, 2022, 12.
- TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAKAKI, Hiroyuki. 原子膜エレクトロニクス. 丸文財団20周年記念出版「科学技術立国 日本を築くⅡ 次代を拓く気鋭の研究. , 2017, 137-144.
- NAKAHARAI, Shu, OGAWA Shinichi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SATO Shintaro, YOKOYAMA Naoki . ウェハスケール・トップダウン加工でのグラフェントランジスタ試作. カーボンナノチューブ・グラフェンの 応用研究最前線. , 2016, 201-207.
会議録
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
- Hiroki Ago, Yui Ogawa, Kenji Kawahara, Yoshito Ito, Baoshan Hu, Carlo M. Orofeo, Pablo Soils Fernandez, Hiroko Endo, Hiroki Hibino, Seigi Mizuno, Kazuhito Tsukagoshi, Masaharu Tsuji. Epitaxial CVD Growth of High-Quality Graphene and Recent Development of 2D Heterostructures. 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) . (2015) 10.1109/iedm.2015.7409779
- H. Tomori, A. Kanda, H. Goto, S. Takana, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi. Fabrication of ultrashort graphene Josephson junctions. PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS. (2010) 1492-1495 10.1016/j.physc.2010.05.146
口頭発表
- 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
- 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 高橋 誠, 伊藤 和博, 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁. GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
- TSUKAGOSHI, Kazuhito. Electromechanical Switching of C60 film for the nanoscale memory. 1st International Symposium on Carbon Materials for Energy, Environment, Sustainability, and Bio-applications with 6th Taiwan Carbon Conference. 2023
その他の文献
- Shuhei Watanabe, Satoshi Kaneko, Shintaro Fujii, Tomoaki Nishino, Shinya Kasai, Kazuhito Tsukagoshi, Manabu Kiguchi. Gap width-independent spectra in 4-aminothiophenol surface enhanced Raman scattering stimulated in Au-gap array. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6] (2017) 065202 10.7567/jjap.56.065202
- TSUKAGOSHI, Kazuhito. 図解：ナノカーボン. OYO BUTURI. (2015) 642-643
- TSUKAGOSHI, Kazuhito. インジウム系酸化膜トランジスタの特性と必要性. 鉱山. 67 [730(9)] (2014) 24-32
特許
- 特許第6252903号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- 特許第6583812号 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 (2019)
- 特許第6261125号 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
- 特開2011171524号 有機半導体デバイスのコンタクト構造、有機半導体デバイス及びその作製方法 (2011)
- 特開2012033904号 有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ (2012)
- 特開2013058680号 有機半導体単結晶形成方法及び有機半導体デバイス (2013)