HOME > 口頭発表 > 書誌詳細PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO TFTの電気特性への影響(Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method)栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. 14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014.NIMS著者生田目 俊秀塚越 一仁大井 暁彦知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:42:02 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:50:39 +0900