PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO TFTの電気特性への影響
(Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method)
14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014年06月15日-2014年06月18日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:42:02 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:50:39 +0900