Change of characteristics for n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by various post-deposition annealing
INFOS 2019. 2019年06月30日-2019年07月03日.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-12-06 03:00:21 +0900 更新時刻: 2019-12-06 03:00:21 +0900