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研究内容
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ホウ化物、炭化物、表面
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Two-dimensional silicon boride on ZrB2(0001). Physical Review Materials. 3 [1] (2019) 10.1103/physrevmaterials.3.014005
- T Aizawa, S Suehara, S Otani. Phonon dispersion of silicene on ZrB2(0 0 0 1). Journal of Physics: Condensed Matter. 27 [30] (2015) 305002 10.1088/0953-8984/27/30/305002
- Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Silicene on Zirconium Carbide (111). The Journal of Physical Chemistry C. 118 [40] (2014) 23049-23057 10.1021/jp505602c
会議録
- AIZAWA, Takashi, HISHITA, Shunichi, OTANI, Shigeki. The 2×2 oxidized layer on ZrB2(0001). APPLIED SURFACE SCIENCE. 2009, 1120-1123
- T Mori, T Aizawa, S Mitani, N Tsujii, I Ohkubo, T Tynell, Y Kakefuda, T Baba, M Mitome, N Kawamoto, D Golberg. Development of thermoelectric thin films and characterization methods. Journal of Physics: Conference Series. 2019, 012055-1-012055-5
- HISHITA, Shunichi, AIZAWA, Takashi, SUEHARA, Shigeru, HANEDA, Hajime. FORMATION MECHANISM OF SIC IN C-SI SYSTEM BY ION IRRADIATION. JAERI-Conf 2003-001. 2003, 228-232
口頭発表
- 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法によるCrB2単結晶の育成. 第５０回人工結晶討論会. 2005
- 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. ZrB2(0001)上Si超薄膜のフォノン. 第9回日本ホウ素ホウ化物研究会. 2013
- 末原 茂, 相澤 俊, 新井 正男. NbB_2_(0001)およびZrB_2_(0001)表面の内殻準位シフトの第一原理計算. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
特許
- 特許第4919401号 素子基板とその製造方法 (2012)
- 特許第5218960号 二ホウ化ジルコニウム（ZrB2）単結晶の育成法及び半導体形成用基板 (2013)
- 特許第1946420号 黒鉛薄膜を有する金属炭化物とその製造法 (1995)
第二期開発予定
第二期開発予定