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研究内容
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ホウ化物、炭化物、表面
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Gabin Guélou, Maya Martirossyan, Kazuo Ogata, Isao Ohkubo, Yohei Kakefuda, Naoyuki Kawamoto, Yuuki Kitagawa, Jumpei Ueda, Setsuhisa Tanabe, Kazuhiko Maeda, Katsumitsu Nakamura, Takashi Aizawa, Takao Mori. Rapid deposition and thermoelectric properties of ytterbium boride thin films using hybrid physical chemical vapor deposition. Materialia. 1 (2018) 244-248 10.1016/j.mtla.2018.06.003
- Ryutaro Souda, Takashi Aizawa. Crystallization kinetics of water on graphite. Physical Chemistry Chemical Physics. 20 [34] (2018) 21856-21863 10.1039/c8cp03000f
- Masataka Imura, Ryan G. Banal, Meiyong Liao, Jiangwei Liu, Takashi Aizawa, Akihiro Tanaka, Hideo Iwai, Takaaki Mano, Yasuo Koide. Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111) interface hole channel. Journal of Applied Physics. 121 [2] (2017) 025702 10.1063/1.4972979
会議録
- AIZAWA, Takashi, HISHITA, Shunichi, OTANI, Shigeki. The 2×2 oxidized layer on ZrB2(0001). APPLIED SURFACE SCIENCE 2009, 1120-1123
- HISHITA, Shunichi, AIZAWA, Takashi, SUEHARA, Shigeru, HANEDA, Hajime. FORMATION MECHANISM OF SIC IN C-SI SYSTEM BY ION IRRADIATION. JAERI-Conf 2003-001 2003, 228-232
- I. K. Yanson, Yu. G. Naidyuk, O. E. Kvitnitskaya, V. V. Fisun, N. L. Bobrov, P. N. Chubov, V. V. Ryabovol, W. N. Kang, E. -M. Choi, H. -J. Kim, S. -I. Lee, S. -L. Drechsler, G. Behr, AIZAWA, Takashi, OTANI, Shigeki. Study of electron-phonon interaction in metal diborides MeB2 (Me=Zr, Nb, Ta, Mg) by point-contact spectroscopy. Modern Physics Letters B 2003, 657-666
口頭発表
- 大谷 茂樹, 相澤 俊. FZ法によるCrB2単結晶の育成. 第５０回人工結晶討論会. 2005
- 相澤 俊, 末原 茂, 大谷 茂樹. ZrB2(0001)上Si超薄膜のフォノン. 第9回日本ホウ素ホウ化物研究会. 2013
- 末原 茂, 相澤 俊, 新井 正男. NbB_2_(0001)およびZrB_2_(0001)表面の内殻準位シフトの第一原理計算. 日本物理学会第59回年次大会. 2004
特許
- 特許第4919401号 素子基板とその製造方法 (2012)
- 特許第5218960号 二ホウ化ジルコニウム（ZrB2）単結晶の育成法及び半導体形成用基板 (2013)
- 特許第1946420号 黒鉛薄膜を有する金属炭化物とその製造法 (1995)
第二期開発予定
第二期開発予定