- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ホウ化物、炭化物、表面
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Takashi Aizawa, Shigeru Suehara, Shigeki Otani. Phonon dispersion of a two-dimensional boron sheet on Ag(111). Physical Review Materials. 5 [6] (2021) 10.1103/physrevmaterials.5.064004
- Mariana S. L. Lima, Takashi Aizawa, Isao Ohkubo, Takeaki Sakurai, Takao Mori. Improvement of power factor in the room temperature range of Mg<sub>2</sub>Sn<sub>1−x </sub>Ge<sub> x </sub>. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SB] (2021) SBBF06 10.35848/1347-4065/abd9cd
- Takashi Aizawa, Isao Ohkubo, Mariana S. L. Lima, Takeaki Sakurai, Takao Mori. Fabrication of Mg2Sn(111) film by molecular beam epitaxy. Journal of Vacuum Science & Technology A. 37 [6] (2019) 061513 10.1116/1.5122844
会議録
- T Mori, T Aizawa, S Mitani, N Tsujii, I Ohkubo, T Tynell, Y Kakefuda, T Baba, M Mitome, N Kawamoto, D Golberg. Development of thermoelectric thin films and characterization methods. Journal of Physics: Conference Series. 2019, 012055-1-012055-5
- IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIAO, Meiyong, LIU, Jiangwei, AIZAWA, Takashi, TANAKA, Akihiro, IWAI, Hideo, MANO, Takaaki, KOIDE, Yasuo. Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111). DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2017, -
- AIZAWA, Takashi, HISHITA, Shunichi, OTANI, Shigeki. The 2×2 oxidized layer on ZrB2(0001). APPLIED SURFACE SCIENCE. 2009, 1120-1123
口頭発表
- 大久保 勇男, ホー ズーフォン, Jiyeon N. Lee, 相澤 俊, Mikk Lippmaa, 知京 豊裕, 津田 宏治, 森 孝雄. 機械学習を用いたTiNエピタキシャル成長のclosed-loop optimization. 第41回電⼦材料研究討論会. 2021
- 大久保 勇男, ホー ズーフォン, Jiyeon N. Lee, 相澤 俊, Mikk Lippmaa, 知京 豊裕, 津田 宏治, 森 孝雄. 機械学習を活用した薄膜成長のclosed-loop optimization. 第50回結晶成⻑国内会議(JCCG-50). 2021
- 大久保 勇男, 相澤 俊, Mikk Lippmaa, 森 孝雄. TiNの有機金属分子線エピタキシー. 第82回 応⽤物理学会秋季学術講演会. 2021
特許
- 特許第4919401号 素子基板とその製造方法 (2012)
- 特許第5218960号 二ホウ化ジルコニウム（ZrB2）単結晶の育成法及び半導体形成用基板 (2013)
- 特許第1946420号 黒鉛薄膜を有する金属炭化物とその製造法 (1995)
- 特開2008041709号 素子基板とその製造方法 (2008)
- 特開2009173512号 二ホウ化ジルコニウム（ＺｒＢ２）単結晶とその育成法並びに半導体形成用基板 (2009)
- 特開2007169083号 半導体結晶成長用炭化物単結晶基板 (2007)