300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性
(Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using low temperature process at 300 °C)
第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019.
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作成時刻: 2019-07-23 03:00:23 +0900更新時刻: 2019-07-23 03:00:23 +0900