HOME > プロフィール > 女屋 崇
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C). APL Materials. 10 [5] (2022) 051110 10.1063/5.0091661
- Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [6] (2021) 062405 10.1116/6.0001334
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−XO2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor. ECS Transactions. (2021) 129-135 10.1149/10404.0129ecst
口頭発表
- 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
- 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 高橋 誠, 伊藤 和博, 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁. GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
- ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koji Kita, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takashi Matsukawa. Ferroelectric HfxZr1−xO2-based capacitors with controlled-oxidation surface of TiN bottom-electrode. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
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