HOME > Profile > ONAYA, Takashi
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- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C). APL Materials. 10 [5] (2022) 051110 10.1063/5.0091661
- Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [6] (2021) 062405 10.1116/6.0001334
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−XO2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor. ECS Transactions. (2021) 129-135 10.1149/10404.0129ecst
Proceedings
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
Presentations
- 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
- 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
- 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 高橋 誠, 伊藤 和博, 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁. GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023