HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019.NIMS著者生田目 俊秀池田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-10-02 03:00:25 +0900更新時刻: 2019-10-02 03:00:25 +0900
